时间：2025/7/4 0:07:34
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IRF610P是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国际整流器公司（IR，Infineon Technologies收购）生产。该器件设计用于高频开关应用，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。其额定电压为100V，适用于多种电源管理和功率转换场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3.9A
栅源开启电压：4V~8V
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.2Ω
总功耗：55W
封装形式：TO-220FP
工作温度范围：-55℃~175℃
IRF610P具备出色的开关性能，能够满足高频应用需求。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高效率。
该器件采用TO-220FP封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。此外，IRF610P还具备较高的雪崩击穿能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
由于其耐压等级为100V，IRF610P非常适合应用于中小功率的DC-DC转换器、开关电源、电机驱动以及负载开关等领域。
IRF610P广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 电池管理
6. 工业自动化中的功率控制模块
其高频特性和良好的热性能使其成为这些应用的理想选择。
IRF610
IRFZ24N
STP12NF06
FDP016N10A
