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IRF5N4905SCV 发布时间 时间:2025/12/26 21:08:18 查看 阅读:15

IRF5N4905SCV是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极技术制造,专为高效率、高密度电源应用而设计。该器件属于OptiMOS?系列,针对40V至200V电压等级进行了优化,在低导通电阻和开关损耗之间实现了卓越的平衡。IRF5N4905SCV具有50V的漏源击穿电压(V(BR)DSS),适用于多种工业、消费类和通信电源系统。其封装形式为PG-SOT223-4(也称为SOT223-4L),是一种小型化表面贴装封装,具备良好的热性能,适合紧凑型PCB布局并支持自动化装配流程。
  该MOSFET主要用作同步整流器、DC-DC转换器中的主开关或负载开关等场景。由于其优异的RDS(on)性能和快速开关能力,能够在高频工作条件下保持高效率,减少能量损耗和温升。此外,器件内部结构经过优化,具备较强的抗雪崩能力和稳健的可靠性,满足AEC-Q101汽车级认证要求,因此也可用于车载电子系统中。
  IRF5N4905SCV在设计上注重降低寄生参数,提升整体系统能效。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减小驱动损耗,同时具备良好的体二极管反向恢复特性,减少了在桥式拓扑中发生直通的风险。综合来看,这款MOSFET是现代高效开关电源、适配器、LED驱动电源以及电池管理系统中的理想选择之一。

参数

型号:IRF5N4905SCV
  制造商:Infineon Technologies
  产品系列:OptiMOS?
  晶体管类型:N沟道MOSFET
  漏源电压V(BR)DSS:50 V
  连续漏极电流ID(@25°C):6.8 A
  脉冲漏极电流IDM:27 A
  导通电阻RDS(on)(max @ VGS=10V):24 mΩ
  导通电阻RDS(on)(max @ VGS=4.5V):30 mΩ
  栅极阈值电压VGS(th):2.0 V ~ 3.0 V
  栅极电荷Qg(典型值@10V):10 nC
  输入电容Ciss(典型值):450 pF
  功率耗散PD:50 W
  工作结温范围Tj:-55 °C ~ +175 °C
  封装/包装:PG-SOT223-4

特性

IRF5N4905SCV采用了英飞凌独有的OptiMOS?沟槽栅极技术,这种先进的制造工艺通过优化芯片内电场分布,显著降低了单位面积下的导通电阻RDS(on),从而提升了器件的整体效率。与传统的硅基MOSFET相比,该技术不仅增强了载流子迁移率,还有效抑制了短沟道效应,使得在相同尺寸下可实现更低的导通损耗。这一特性特别适用于对能效要求严苛的应用场景,如便携式设备电源管理、服务器VRM模块以及高密度AC-DC适配器。此外,OptiMOS?技术还改善了热稳定性,确保在高温环境下仍能维持稳定的电气性能,延长了系统的使用寿命。
  该器件具备出色的动态性能表现。其低栅极电荷(Qg = 10nC 典型值)意味着在开关过程中所需的驱动能量更少,从而降低了控制器的负担,并允许使用更小的驱动电路,节省空间和成本。同时,较低的输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)有助于减少开关过程中的电压振荡和电磁干扰(EMI),提高系统EMC兼容性。这对于高频开关电源尤为重要,因为高频操作会放大寄生参数的影响,导致效率下降甚至引发不稳定现象。IRF5N4905SCV的设计充分考虑了这些因素,使其能够在数百kHz乃至MHz级别的开关频率下稳定运行。
  热管理方面,PG-SOT223-4封装集成了大面积铜片作为散热路径,能够将芯片产生的热量高效传导至PCB,实现良好的自然散热效果。该封装支持回流焊工艺,便于自动化生产,且占用PCB面积较小,适合高度集成化的电子产品设计。此外,器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代绿色电子产品的合规要求。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +175°C)使其可在极端环境条件下可靠运行,包括高温工业现场或低温户外设备。综合以上特性,IRF5N4905SCV在性能、可靠性与可持续性之间达到了良好平衡,是中低压功率转换领域的优选器件之一。

应用

IRF5N4905SCV广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。其典型应用场景包括但不限于:同步整流型DC-DC降压变换器,尤其是在多相供电架构中作为下管(low-side MOSFET)使用,利用其低RDS(on)和快速响应特性来减少传导损耗并提升转换效率;在非隔离式电源拓扑如Buck、Boost及Buck-Boost电路中担任主开关元件,适用于笔记本电脑适配器、机顶盒电源、路由器和网络交换机等消费类与通信设备。
  此外,该器件也常用于LED照明驱动电源,特别是在恒流输出设计中作为开关或调光控制元件,凭借其稳定的开关特性和低热阻封装,有助于实现长寿命和高光效。在电池管理系统(BMS)中,IRF5N4905SCV可用于充放电回路的通断控制,提供低功耗和高可靠性的负载开关功能。由于其通过AEC-Q101汽车级认证,因此也被广泛应用于车载信息娱乐系统、车身控制模块、车灯驱动单元以及辅助电源系统中。
  其他应用还包括电机驱动电路中的低端开关、热插拔控制器中的功率开关、USB PD快充电源模块以及工业PLC中的数字输出通道。在这些场合中,器件的快速开关能力、抗浪涌电流能力和良好的热稳定性都发挥了关键作用。得益于SOT223-4封装的小尺寸和可焊接性,它还能用于空间受限的便携式设备主板上,例如移动POS终端、智能仪表和IoT网关等。总体而言,IRF5N4905SCV凭借其综合性能优势,已成为众多中等功率开关电源设计中的主流选择。

替代型号

IPD5N4905SCV
  BSC023N05NS

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