时间：2025/7/9 10:37:44
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IRF5851TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道沟道功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效率、低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够显著提高系统的整体效率。其封装形式为 TO-263-3，适用于多种工业和消费类电子产品。
该 MOSFET 的主要特点是能够在高频开关应用中保持较低的损耗，并且在高温环境下也具有良好的稳定性。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及电池充电器等领域。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：92A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅源电压：±20V
总栅极电荷：75nC
功耗：110W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF5851TR 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，适合大功率应用。
4. 小巧的封装尺寸，便于电路板布局设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保性能良好。
6. 工作温度范围宽，适应各种环境条件。
7. 快速开关速度，适合高频应用。
这些特性使得 IRF5851TR 成为高性能功率转换和电机控制的理想选择。
IRF5851TR 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 电池充电器中的功率管理。
5. 通信设备中的电源模块。
6. 工业自动化设备中的负载控制。
该器件凭借其卓越的性能和可靠性，成为许多高效能电子系统的核心组件。
IRF5852, IRF5853, IRF5854
