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IRF5851TR 发布时间 时间:2025/7/9 10:37:44 查看 阅读:6

IRF5851TR 是一款由 Vishay 提供的 N 沣道沟道功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效率、低导通电阻的应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够显著提高系统的整体效率。其封装形式为 TO-263-3,适用于多种工业和消费类电子产品。
  该 MOSFET 的主要特点是能够在高频开关应用中保持较低的损耗,并且在高温环境下也具有良好的稳定性。它广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及电池充电器等领域。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:92A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅源电压:±20V
  总栅极电荷:75nC
  功耗:110W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF5851TR 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗。
  3. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  4. 小巧的封装尺寸,便于电路板布局设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保性能良好。
  6. 工作温度范围宽,适应各种环境条件。
  7. 快速开关速度,适合高频应用。
  这些特性使得 IRF5851TR 成为高性能功率转换和电机控制的理想选择。

应用

IRF5851TR 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  4. 电池充电器中的功率管理。
  5. 通信设备中的电源模块。
  6. 工业自动化设备中的负载控制。
  该器件凭借其卓越的性能和可靠性,成为许多高效能电子系统的核心组件。

替代型号

IRF5852, IRF5853, IRF5854

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IRF5851TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A,2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 15V
  • 功率 - 最大960mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
  • 供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
  • 包装带卷 (TR)