时间：2025/4/29 15:46:05
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IRF5850TRPBF 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等领域。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高效率。其耐压能力高达 100V，并支持较大的连续漏极电流，非常适合高功率应用。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：27A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：214W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF5850TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 较高的雪崩击穿能量，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 优化的热性能设计，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
这些特点使得 IRF5850TRPBF 成为许多高效能电子电路的理想选择。
IRF5850TRPBF 可用于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各种 DC-DC 转换器模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 高效 LED 驱动器设计。
由于其出色的电气特性和可靠性，该器件能够满足各种工业和消费类电子产品的需求。
IRF540N, IRFZ44N, STP17NF50
