时间：2025/12/23 13:37:58
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IRF5803GTRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件适用于高效率开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。
该 MOSFET 的最大工作电压为 60V，并且具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于提高系统能效并减少热损耗。其出色的开关性能和耐用性使其成为各种工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：21A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ
总栅极电荷：40nC
开关时间：开启延迟时间 27ns，关断传播时间 11ns
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-252
IRF5803GTRPBF 提供了低导通电阻以减少传导损耗，同时具备快速开关能力，可实现高效电源转换。
此外，这款 MOSFET 支持较高的电流承载能力，在高频条件下依然能够保持稳定的性能表现。
它还具有正温度系数特性，有助于改善并联使用时的均流效果。
由于采用了符合 RoHS 标准的封装材料，因此也满足环保要求。
整体而言，IRF5803GTRPBF 是一种高性能、可靠且经济高效的解决方案，非常适合需要大电流和高效率的应用场合。
IRF5803GTRPBF 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流
2. 电池保护电路中的负载开关
3. 工业自动化设备中的电机控制
4. 计算机及外设中的电源管理
5. 通信基础设施中的高效 DC-DC 转换
6. 各种需要大电流驱动的电子负载调节
IRF540N, IRF530, SI4850DY
