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IRF540Z 发布时间 时间:2025/4/28 20:12:50 查看 阅读:2

IRF540Z 是一款高性能的 N 沱道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升电路效率并减少功率损耗。
  该器件由 Vishay 公司生产,属于 IRL 系列增强型 MOSFET,采用 TO-220 封装形式,适用于大电流应用场合。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:32.8A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻(Rds(on)):0.06Ω(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗:178W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF540Z 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
  3. 优秀的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠工作。
  4. 增强的安全工作区(SOA),提高了器件在瞬态条件下的耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特点使得 IRF540Z 成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。

应用

IRF540Z 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率组件。
  5. 各种需要高效功率转换和管理的应用场景。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP160N10

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IRF540Z参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C36A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26.5 毫欧 @ 22A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1770pF @ 25V
  • 功率 - 最大92W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF540Z