IRF540Z 是一款高性能的 N 沱道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。它具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升电路效率并减少功率损耗。
该器件由 Vishay 公司生产,属于 IRL 系列增强型 MOSFET,采用 TO-220 封装形式,适用于大电流应用场合。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:32.8A
栅极阈值电压:2V~4V
导通电阻(Rds(on)):0.06Ω(典型值,Vgs=10V时)
总功耗:178W
工作结温范围:-55℃至+175℃
IRF540Z 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
3. 优秀的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠工作。
4. 增强的安全工作区(SOA),提高了器件在瞬态条件下的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特点使得 IRF540Z 成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。
IRF540Z 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率组件。
5. 各种需要高效功率转换和管理的应用场景。
IRF540N, IRFZ44N, STP160N10