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IRF540S 发布时间 时间:2025/7/4 4:22:56 查看 阅读:30

IRF540S是一款N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),属于IRF540系列的改进版本。该器件采用TO-220封装,适用于各种开关和功率控制应用。与标准版IRF540相比,IRF540S在性能和封装上有所优化,提供更低的导通电阻和更高的可靠性。
  该MOSFET适合高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和电源管理等场景。由于其较高的电流承载能力和较低的导通损耗,IRF540S能够满足高效率设计的需求。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:33A
  峰值脉冲漏极电流:200A
  栅源开启电压:4V
  导通电阻(典型值):0.078Ω
  功耗:215W
  结温范围:-55°C至+175°C
  热阻(结到外壳):1°C/W

特性

IRF540S具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关速度,适用于高频电路设计。
  4. 热稳定性强,能够在高温环境下可靠运行。
  5. 良好的抗雪崩能力,提升器件在异常条件下的耐受性。
  6. TO-220标准封装,易于安装和散热设计。
  这些特性使IRF540S成为工业级和消费级电子设备的理想选择。

应用

IRF540S广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)的核心功率器件。
  4. 各类电机驱动电路中的开关元件。
  5. 工业自动化设备中的负载控制。
  6. LED照明系统的恒流驱动。
  凭借其卓越的性能和可靠性,IRF540S在电力电子领域有着广泛的用途。

替代型号

IRF540N, IRFZ44N, STP36NF10L

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IRF540S参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C77 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF540S