类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　功耗（Ptot）：70W
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　开启电压（Vgs(th)）：2V 至 4V @ Id=250μA

IRF530WC 具备多项优良特性，使其在功率电子设计中具有广泛的应用价值。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用场景。其最大连续漏极电流可达 17A，能够在较大电流条件下稳定工作，满足对功率密度要求较高的设计需求。
　　其次，IRF530WC 的导通电阻 Rds(on) 仅为 0.11Ω，在 Vgs=10V 的驱动条件下，可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。同时，该器件具备较低的输入电容（Ciss 为 1300pF），有助于减少开关过程中的损耗和噪声干扰，提高开关速度。
　　此外，IRF530WC 的封装形式为 TO-220，具备良好的热管理和散热能力，确保器件在高负载条件下依然保持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的环境条件，增强了系统的可靠性和稳定性。
　　该 MOSFET 还具备良好的抗过载能力和短路保护特性，能够在异常工作条件下提供一定的容错能力，延长设备的使用寿命。这些特性使得 IRF530WC 在工业控制、电源供应、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等领域具有出色的表现。

IRF530WC 的高性能参数和优良特性使其在多个领域中得到了广泛应用。
　　在电源系统中，IRF530WC 常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够高效地处理中高功率的转换任务，提升整体电源效率。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想的功率开关器件。
　　在电机驱动方面，该 MOSFET 可用于直流电机、步进电机和无刷直流电机的控制电路中，提供快速的开关响应和良好的电流控制能力，确保电机运行平稳高效。
　　此外，IRF530WC 也广泛应用于逆变器和 DC-DC 转换器中，作为核心功率器件实现电压转换和能量传输。其良好的热管理和耐高温能力，使其在车载电子、工业自动化和太阳能逆变系统中表现出色。
　　在电池管理系统中，IRF530WC 可用于充放电控制、电池均衡和保护电路，确保电池组的安全和高效运行。
　　除此之外，该器件还可用于照明控制、电动工具、不间断电源（UPS）以及各种功率开关控制电路中，具备广泛的应用前景。

IRFZ44N, IRF540N, STP16NF06, FDPF5305