时间：2025/6/26 19:17:14
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IRF530N 是一款由国际整流器公司（International Rectifier，已被英飞凌收购）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机控制、音频功率放大器以及其他需要高效开关的电路中。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于高频应用环境。
IRF530N的最大漏源电压为100V，最大连续漏极电流为3.6A（在25°C条件下），并且具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式通常为TO-220或TO-247。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：3.6A（@Tc=25°C）
最大脉冲漏极电流：11A
导通电阻：0.38Ω（@Vgs=10V）
输入电容：1350pF
总栅极电荷：19nC
最大功耗：47W（@Tc=25°C）
工作结温范围：-55°C至+150°C
IRF530N是一款高性能的N沟道MOSFET，具有以下显著特点：
1. 低导通电阻：其导通电阻仅为0.38Ω（在Vgs=10V时），从而降低了导通损耗，提升了效率。
2. 高速开关性能：该器件的总栅极电荷较小，仅有19nC，能够实现快速的开关操作。
3. 较高的漏源电压：支持高达100V的工作电压，适用于多种中低压应用场景。
4. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能，最高结温可达150°C。
5. 可靠性高：具备较强的过流保护能力和抗雪崩能力，适用于苛刻的工作条件。
6. 封装灵活：提供标准的TO-220和TO-247封装，便于散热设计和安装。
IRF530N由于其优异的电气特性和可靠性，在多个领域得到了广泛应用，包括但不限于：
1. 开关电源：用于DC-DC转换器和AC-DC适配器等场景中的功率开关。
2. 电机驱动：控制小型直流电机的启停和调速。
3. 音频功率放大器：作为输出级功率开关，提升放大器的效率。
4. 电池管理系统：用于电池充放电控制和保护电路。
5. 负载开关：在各种电子设备中用作负载切换元件。
6. 其他需要高效功率开关的应用场景。
IRF540N, IRFZ44N, FDP128N, BUZ11
