类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　连续漏极电流（ID）：3.8 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：15.2 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5 Ω @ VGS = 5 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：35 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：290 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：75 ns
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220

IRF521 N沟道MOSFET的核心优势在于其采用高性能的沟槽栅极制造工艺，这种结构显著降低了导通电阻与寄生电容之间的权衡，从而提升了器件的整体效能。其2.0Ω的低RDS(on)在600V耐压等级中表现良好，有助于减少导通期间的能量损耗，特别适用于需要长时间持续工作的电源系统。该器件具备较高的击穿电压能力，可承受瞬态过压冲击，并通过了严格的雪崩测试，表现出优异的耐用性和鲁棒性。同时，较低的总栅极电荷（仅35nC）意味着驱动电路所需提供的电流更小，有利于简化驱动设计并提高开关频率，进而减小磁性元件体积，提升功率密度。此外，其输入电容仅为290pF，在高频应用中能够有效降低开关切换过程中的容性损耗。器件还具备良好的热传导性能，TO-220封装支持外接散热片，可在高温环境下维持稳定运行。内部结构优化减少了热阻（Rth(j-c)），提高了散热效率，延长了使用寿命。尽管IRF521不具备超快体二极管特性，但在多数硬开关拓扑中仍能可靠工作。值得注意的是，随着半导体技术进步，同类产品如CoolMOS系列已在能效和尺寸方面实现更大突破，因此在新设计中需综合评估是否选用更新一代的产品以获得更优性能。
　　该MOSFET符合工业级标准，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应恶劣环境下的应用场景。其栅极氧化层经过强化处理，具备较强的抗静电（ESD）能力，但仍建议在装配过程中采取防静电措施以避免损伤。器件无铅且符合RoHS环保规范，适合绿色电子产品设计需求。此外，IRF521具有明确的参数规格和成熟的使用记录，便于工程师进行热仿真、可靠性分析和故障排查。总体而言，它是一款兼顾性能与成本的经典高压MOSFET，虽然后续型号在某些指标上有所超越，但在现有设备维护、替换及中低端市场中依然保有较高的实用价值。

IRF521广泛用于各类中等功率开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、离线式反激变换器和正激转换器等拓扑结构中，作为主开关器件承担能量传递功能。在照明领域，常见于电子镇流器和LED驱动电源设计中，用于实现高效直流变换与调光控制。其高耐压特性使其适用于光伏逆变器中的DC-AC转换环节，尤其是在单相小型太阳能系统中发挥重要作用。此外，该器件也被应用于电机驱动电路，例如小型家电中的直流无刷电机控制器或风扇调速模块，凭借其快速响应和低导通损耗实现节能运行。在工业自动化设备中，IRF521可用于继电器驱动、电磁阀控制和开关电源模块中，提供可靠的功率切换能力。由于其具备一定的雪崩耐量，也可在感性负载切断时提供一定的自我保护能力，减少外部保护电路复杂度。在UPS不间断电源系统中，常被用作DC-DC升压或逆变桥臂开关元件，保障电力供应连续性。此外，该器件还可用于电池充电器、焊接设备和高频感应加热装置等场合。尽管其开关速度并非顶级水平，但对于工作频率在几十kHz至百kHz范围内的应用已足够胜任。考虑到其成熟的技术平台和稳定的供货历史，IRF521在维修替换、教学实验及原型开发项目中也具有较高使用率。

IRFGB30
　　SPW20N60C3
　　IPP60R190E6