IRF4435TR 时间：2025/6/20 9:35:12 阅读：5

IRF4435TR 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-263-3 封装，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种功率转换和开关应用。它广泛用于电源管理、电机驱动以及工业控制等领域。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：29A
　　最大栅极驱动电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：18mΩ
　　总功耗：170W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IRF4435TR 具有非常低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高效率。
　　其封装设计使其具备良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
　　支持快速开关，降低了开关损耗，并改善了动态性能。
　　该器件还具有较高的雪崩能量能力，增强了在恶劣条件下的可靠性。
　　同时，它兼容标准逻辑电平驱动，简化了电路设计并提高了易用性。
　　此外，由于采用了先进的制造工艺，IRF4435TR 在整个温度范围内保持稳定的电气特性。

应用

IRF4435TR 常用于直流-直流转换器、交流-直流适配器、电池管理系统 (BMS) 和电机控制器等应用中。
　　它也适用于负载切换、续流二极管替代以及各类开关模式电源 (SMPS)。
　　由于其高电流能力和低导通电阻，IRF4435TR 特别适合需要高效能和紧凑设计的场合。
　　此外，在太阳能逆变器和不间断电源 (UPS) 系统中也有广泛应用。