IRF433 时间：2025/12/26 19:33:39 阅读：17

IRF433是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及良好的热稳定性。IRF433能够承受较高的电流和电压应力，适用于需要高效能和高可靠性的工业与消费类电子设备。其封装形式通常为TO-220或TO-247，便于安装在散热器上以实现良好的热管理。该MOSFET在硬开关和软开关拓扑中均表现出色，是现代功率电子设计中的关键组件之一。

参数

型号：IRF433
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：650 V
　　栅源电压VGS：±30 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：16 A
　　脉冲漏极电流IDM：64 A
　　导通电阻RDS(on)（max）：85 mΩ @ 10V VGS
　　栅极电荷Qg（典型值）：65 nC
　　输入电容Ciss（典型值）：2050 pF
　　开启延迟时间td(on)：25 ns
　　关断延迟时间td(off)：55 ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP, TO-247

特性

IRF433具备出色的电气性能和热性能，适合用于高功率密度的设计场景。其最大漏源击穿电压高达650V，可在宽电压范围内稳定运行，适用于通用AC-DC电源、PFC电路以及工业电机控制等应用。器件的低RDS(on)值显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。同时，较低的栅极电荷和米勒电荷使其在高频开关条件下仍能保持较低的驱动损耗和快速响应能力。
　　该MOSFET采用了优化的硅片设计，在保证高耐压的同时实现了优异的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗。其体二极管也具有较快的反向恢复特性，可有效抑制电压振铃和电磁干扰问题，提升系统可靠性。此外，IRF433具有较强的抗雪崩能力和短路耐受性，能够在瞬态过载或异常工况下提供一定的保护作用，延长系统寿命。
　　器件符合RoHS环保标准，并具备良好的长期可靠性。其封装结构支持高效的热量传导，配合适当的PCB布局和散热措施，可确保在高温环境下长时间稳定工作。内置的快速响应机制使其适用于各种谐振变换器、LLC半桥及有源钳位拓扑中，满足现代电源对小型化、高效化和高功率因数的需求。