IRF40R207 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 RFPACK-30 封装形式,适用于高频和高效率开关应用。其设计目标是提供低导通电阻、高电流能力和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC 转换器等场景。
该型号在性能上优化了功率损耗和散热表现,特别适合需要高能效的工业和消费电子领域。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:86A
导通电阻:1.9mΩ
栅极电荷:105nC
总电容:2150pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IRF40R207 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提升整体系统效率。
2. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷,可减少开关损耗。
3. 高额定电流能力,支持高达 86A 的连续漏极电流,适应大功率应用场景。
4. 增强的热性能,通过改进封装设计实现更高效的热量管理。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C),使其能在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
这些特点使得 IRF40R207 成为高性能功率转换和控制应用的理想选择。
IRF40R207 可用于以下典型应用:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC/DC 转换器中的同步整流或降压/升压电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 照明系统中的 LED 驱动电路。
由于其出色的电流承载能力和快速开关特性,该器件非常适合需要高效功率管理的各种场景。
IRF40R206, IRF40R208