您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF40R207

IRF40R207 发布时间 时间:2025/4/29 11:03:54 查看 阅读:4

IRF40R207 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 RFPACK-30 封装形式,适用于高频和高效率开关应用。其设计目标是提供低导通电阻、高电流能力和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC/DC 转换器等场景。
  该型号在性能上优化了功率损耗和散热表现,特别适合需要高能效的工业和消费电子领域。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:86A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:105nC
  总电容:2150pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF40R207 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提升整体系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷,可减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力,支持高达 86A 的连续漏极电流,适应大功率应用场景。
  4. 增强的热性能,通过改进封装设计实现更高效的热量管理。
  5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C),使其能在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
  这些特点使得 IRF40R207 成为高性能功率转换和控制应用的理想选择。

应用

IRF40R207 可用于以下典型应用:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
  2. DC/DC 转换器中的同步整流或降压/升压电路。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 照明系统中的 LED 驱动电路。
  由于其出色的电流承载能力和快速开关特性,该器件非常适合需要高效功率管理的各种场景。

替代型号

IRF40R206, IRF40R208

IRF40R207推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF40R207参数

  • 现有数量19,004现货
  • 价格1 : ¥7.79000剪切带(CT)2,000 : ¥3.02474卷带(TR)
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.1 毫欧 @ 55A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 50μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)68 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2110 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)83W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63