这款先进的平面条纹HEXFET?功率MOSFET利用最新的加工技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这种HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C的结工作温度、低RθJC、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这种组合使该设计成为在各种应用中使用的极其高效和可靠的选择。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
允许高达Tjmax的重复雪崩
无铅
工业电机驱动
额定功率:330 W
针脚数:3
漏源极电阻:0.007Ω
极性:N-Channel
耗散功率:330 W
阈值电压:4 V
输入电容:5310pF 25V
漏源极电压(Vds):75 V
漏源击穿电压:75 V
连续漏极电流(Ids):140A
上升时间:140 ns
输入电容(Ciss):5310pF 25V(Vds)
额定功率(Max):330 W
下降时间:120 ns
工作温度(Max):175℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):330W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.67 mm
宽度:4.83 mm
高度:16.51 mm
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
制造应用:电源