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IRF3711PBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:19:00 查看 阅读:7

IRF3711PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用Pb-Free封装,符合RoHS标准,适用于各种高效率开关应用。IRF3711PBF具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合在高频DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中使用。
  该器件的封装形式为SO-8(DDPAK),能够在较高的电流和电压条件下运行,并且具备较低的热阻,确保了其在实际应用中的可靠性和高效性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅极源极电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:39nC(典型值)
  输入电容:2520pF(典型值)
  总功耗:17W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IRF3711PBF具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,非常适合于高频DC-DC转换器。
  3. 高电流处理能力,使其可以应用于大功率电路设计。
  4. Pb-Free封装设计,符合环保要求。
  5. 较高的工作温度范围,确保在极端环境下依然保持稳定性能。
  6. SO-8封装,提供良好的散热性能和易于安装的结构。
  7. 可靠的电气特性和稳定性,适用于多种工业和消费类电子设备。

应用

IRF3711PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
  2. 各种电机驱动控制电路。
  3. 电池管理与保护系统。
  4. 工业自动化控制中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和电机驱动。
  6. 高效节能的家用电器和消费电子产品。
  7. LED驱动和其他功率调节应用。

替代型号

IRF3710PBF, IRFZ44N, FDP5510

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IRF3711PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C110A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs44nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2980pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3711PBF