IRF3711PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用Pb-Free封装,符合RoHS标准,适用于各种高效率开关应用。IRF3711PBF具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合在高频DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中使用。
该器件的封装形式为SO-8(DDPAK),能够在较高的电流和电压条件下运行,并且具备较低的热阻,确保了其在实际应用中的可靠性和高效性。
最大漏源电压:60V
最大栅极源极电压:±20V
连续漏极电流:45A
导通电阻:9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:39nC(典型值)
输入电容:2520pF(典型值)
总功耗:17W
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRF3711PBF具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,非常适合于高频DC-DC转换器。
3. 高电流处理能力,使其可以应用于大功率电路设计。
4. Pb-Free封装设计,符合环保要求。
5. 较高的工作温度范围,确保在极端环境下依然保持稳定性能。
6. SO-8封装,提供良好的散热性能和易于安装的结构。
7. 可靠的电气特性和稳定性,适用于多种工业和消费类电子设备。
IRF3711PBF广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及DC-DC转换器。
2. 各种电机驱动控制电路。
3. 电池管理与保护系统。
4. 工业自动化控制中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和电机驱动。
6. 高效节能的家用电器和消费电子产品。
7. LED驱动和其他功率调节应用。
IRF3710PBF, IRFZ44N, FDP5510