时间：2025/7/2 15:26:57
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IRF3710ZSTRPBF是英飞凌（Infineon）公司推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点，适用于多种高效能的电力电子应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装工艺。
这款MOSFET特别适合于需要高频工作的场景，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。由于其较低的Rds(on)和优化的Qg参数，能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.9mΩ
导通电阻（最大值，Vgs=10V）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：83nC
输入电容：2080pF
输出电容：1350pF
反向传输电容：300pF
总功耗：270W
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 采用Trench技术实现超低导通电阻。
2. 提供高电流处理能力，峰值电流可达45A。
3. 栅极驱动要求低，可简化驱动电路设计。
4. 具备快速开关速度，支持高频操作。
5. 表面贴装封装，易于自动化生产和组装。
6. 高温工作能力，能够在极端环境下保持稳定性能。
7. 符合RoHS标准，绿色环保。
8. 内置ESD保护功能，提升产品可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率放大和控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他新能源应用中的功率管理。
6. 汽车电子领域中的电池管理系统（BMS）和电机驱动。
7. 高效照明系统的功率调节。
8. 各类消费电子产品中的功率转换模块。
IRF3710PBF, IRF3710TRPBF
