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IRF3710 发布时间 时间:2025/5/9 14:41:31 查看 阅读:7

IRF3710是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换电路中。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力,能够满足多种功率应用需求。
  IRF3710的性能使其成为许多功率电子设计中的理想选择,其在高频开关应用中的高效表现尤为突出。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:18mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:59nC(典型值)
  输入电容:1640pF(典型值)
  开关速度:快速
  功耗:315W(在壳温25°C条件下)

特性

IRF3710具有以下主要特性:
  1. 高电流承载能力,支持高达49A的连续漏极电流。
  2. 低导通电阻,仅为18mΩ(在Vgs=10V时),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,适合高频开关应用。
  4. 采用标准TO-220封装,易于安装和散热。
  5. 稳定的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境。
  6. 栅极阈值电压较低,通常在2V至4V之间,方便驱动电路设计。

应用

IRF3710可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 各种负载切换和保护电路。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N

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IRF3710参数

  • 典型关断延迟时间45 ns
  • 典型接通延迟时间12 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs130 nC V @ 80
  • 典型输入电容值@Vds3130 pF V @ 25
  • 安装类型通孔
  • 宽度4.69mm
  • 封装类型TO-220AB
  • 尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散200000 mW
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压100 V
  • 最大漏源电阻值0.023
  • 最大连续漏极电流57 A
  • 最高工作温度+175 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度10.54mm
  • 高度8.77mm