型号：IRF3515LPBF
　　类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：150 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：48 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：192 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：13.5 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：17 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：68 nC
　　输入电容（Ciss）：2400 pF
　　输出电容（Coss）：470 pF
　　反向恢复时间（trr）：32 ns
　　开启延迟时间（td(on)）：15 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IRF3515LPBF具备出色的电气特性，尤其是在低导通电阻方面表现出色，典型值仅为13.5毫欧（在Vgs=10V时），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这种低Rds(on)特性使得它非常适合用于大电流开关应用，如DC-DC转换器、同步整流电路以及电池管理系统中，能够有效减少发热并提升能量利用率。同时，在Vgs=4.5V的较低驱动电压下，其Rds(on)仍可维持在17mΩ左右，表明其具备良好的低压驱动能力，兼容3.3V或5V逻辑电平控制信号，无需额外的电平转换或专用驱动芯片即可实现高效控制。
　　该器件采用了先进的沟槽栅极技术和场截止结构，不仅提升了载流子迁移率，还优化了电场分布，从而实现了更高的击穿电压裕量和更优的开关速度。其栅极电荷（Qg）为68nC，相对较低，有助于减小驱动功耗并加快开关响应时间，降低开关过程中的交越损耗。结合较低的输入电容（Ciss=2400pF）和输出电容（Coss=470pF），使得该MOSFET在高频PWM控制中表现优异，适用于工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的电源拓扑结构。
　　IRF3515LPBF还具备良好的热性能和可靠性。其最大结温可达175°C，并支持瞬态过载工况下的短时运行，增强了系统鲁棒性。器件内部集成快速恢复体二极管，反向恢复时间（trr）仅32ns，减少了反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），特别适用于桥式电路或电机驱动中频繁发生反向电流的场景。此外，TO-220AB封装提供了优良的散热路径，可通过外接散热片进一步增强热管理能力，确保长时间高负载运行下的稳定性。综合来看，这些特性使IRF3515LPBF成为高性能电源设计中的理想选择。

IRF3515LPBF广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流模块以及服务器和通信设备的供电单元。由于其低导通电阻和高电流承载能力，常被用于初级侧或次级侧开关元件，以提高转换效率并减少热量积聚。在电池供电系统中，例如电动工具、无人机和便携式储能设备中，该器件可用于电池保护电路或充放电控制回路，提供高效的通断控制。
　　此外，IRF3515LPBF也适用于电机驱动领域，特别是在直流无刷电机（BLDC）或步进电机控制器中作为H桥的开关元件使用，其快速开关特性和低损耗有助于实现精确的速度和扭矩控制。在工业自动化控制系统中，该器件可用于继电器替代、固态开关或PLC输出模块中，实现无触点、长寿命的负载切换功能。
　　照明应用方面，该MOSFET可用于LED恒流驱动电源或高强度气体放电灯（HID）镇流器中，通过高频调制实现亮度调节和节能运行。其高耐压（150V）特性也使其适用于太阳能微逆变器、电动车车载充电器（OBC）等新能源相关产品中。总之，凭借其高效率、高可靠性及宽泛的工作温度范围，IRF3515LPBF在通信电源、工业电源、消费电子和绿色能源等多个领域均有广泛应用前景。

IPD90N15N3 G
　　SPB50N15S3 G
　　FQP15N15
　　STP15NF15
　　IRFZ44N