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IRF3205Z 发布时间 时间:2025/5/21 12:55:52 查看 阅读:4

IRF3205Z 是一款 N 沣道 enhancement 模式的功率场效应晶体管(MOSFET),由 Vishay 公司生产。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率功率转换电路中,具备低导通电阻和快速开关特性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:76A
  导通电阻:4mΩ
  栅极电荷:87nC
  总电容(输入电容):2490pF
  最大功耗:270W
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF3205Z 采用先进的 MOSFET 技术,具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(4mΩ),能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力(76A),适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,能够在高达 175℃ 的结温下可靠运行。
  5. TO-247 封装形式,提供良好的散热性能和电气连接。

应用

IRF3205Z 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器的核心元件。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级组件。
  4. UPS 和逆变器中的功率转换部分。
  5. 工业控制设备中的高效率功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06
  FDP5500
  IXFN75N10T2

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IRF3205Z参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 66A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3450pF @ 25V
  • 功率 - 最大170W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3205Z