时间：2023/7/18 17:58:57
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IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205是一个高电流N沟道MOSFET能够切换电流高达110A和55V。MOSFET的特长在于它的导通电阻非常低，仅为8.0mΩ，使其适用于诸如逆变器，电机速度控制，DC-DC转换器等开关电路。它还是一种易于获得且价格低廉的MOSFET。
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。
IRF3205
产品型号 | IRF3205 |
制造商 | International Rectifier |
制造商包装说明 | TO-220AB，3针 |
符合REACH | 是 |
雪崩能量等级(Eas) | 264.0兆焦耳 |
组态 | 单头内置二极管 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 98.0安 |
最大漏极电流(ID) | 75.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.008欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 55.0伏 |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | 00 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 3 |
操作模式 | 增强模式 |
最高工作温度 | 175℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 法兰安装 |
峰值回流温度(℃) | 225 |
极性/通道类型 | N通道 |
功耗环境最大值 | 150.0瓦 |
最大功率耗散(Abs) | 150.0瓦 |
脉冲漏极电流最大值(IDM) | 390.0安 |
子类别 | FET通用电源 |
终端完成 | 锡/铅(Sn / Pb) |
终端表格 | 贯穿孔 |
终端位置 | 单 |
时间@峰值回流温度-最大值(秒) | 30 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
N沟道功率MOSFET
当VGS为10V时，连续漏极电流(ID)为110A
最小栅极阈值电压2V
漏极至源极击穿电压：55V
导通电阻低至8.0mΩ
栅极-源极电压(VGS)为±20V
上升时间为101ns
通常用于电源开关电路
采用To-220封装
切换应用
升压转换器
斩波器
太阳能逆变器
速度控制
IRF3205封装
IRF1405，IRF1407，IRF3305，IRFZ44N，IRFB3077，IRFB4110
