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IRF2807S 发布时间 时间:2025/5/8 17:15:45 查看 阅读:17

IRF2807S 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-264-3封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高频开关应用,例如DC-DC转换器、开关电源和电机驱动等领域。其额定电压为30V,最大连续漏极电流可达119A(在特定散热条件下)。IRF2807S凭借其卓越的性能和可靠性,成为工业和汽车应用中的理想选择。
  IRF2807S 的设计旨在优化效率和热性能,同时减少功率损耗,使其在高电流密度场景中表现出色。该器件支持多种工作模式,并且具备出色的耐用性和抗干扰能力。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:119A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:87nC(典型值)
  总电容(Ciss):3940pF(典型值)
  开关时间:t_on=35ns,t_off=15ns(典型值)
  功耗:358W(最大值,取决于散热条件)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-264-3

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场景。
  3. 高电流处理能力,满足大功率需求。
  4. 良好的热性能,可有效管理散热问题。
  5. 稳定的电气特性和长时间运行的可靠性。
  6. 宽工作温度范围,适应恶劣环境条件。
  7. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 工业自动化设备
  5. 汽车电子系统
  6. 太阳能逆变器
  7. 电池管理系统(BMS)
  8. 高效功率转换模块
  9. LED驱动器
  10. 其他需要高电流、低损耗的功率应用

替代型号

IRF2807Z,STP120N3LLH5,IXTP140N3L2

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IRF2807S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C82A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 43A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3820pF @ 25V
  • 功率 - 最大230W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF2807S