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IRF2804PBF 发布时间 时间:2024/8/23 15:32:35 查看 阅读:811

这款HEXFET?功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这种设计的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的竞争性雪崩额定值。这些功能相结合,使这种设计成为一种极其高效和可靠的设备,可用于各种其他应用。

优势说明

先进工艺技术
  超低导通电阻
  175°C工作温度
  快速切换重复
  允许雪崩达到Tjmax
  无铅

技术参数

额定功率:330 W
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.0023Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:330 W
  阈值电压:4 V
  输入电容:6450 pF
  漏源极电压(Vds):40 V
  漏源击穿电压:40 V
  连续漏极电流(Ids):280A
  上升时间:120 ns
  输入电容(Ciss):6450pF 25V(Vds)
  下降时间:130 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):300W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.66 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:9.02 mm
  封装:TO-220-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:电源管理

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IRF2804PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.3 毫欧 @ 75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6450pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF2804PBF