这款HEXFET?功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这种设计的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的竞争性雪崩额定值。这些功能相结合,使这种设计成为一种极其高效和可靠的设备,可用于各种其他应用。
先进工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换重复
允许雪崩达到Tjmax
无铅
额定功率:330 W
针脚数:3
漏源极电阻:0.0023Ω
极性:N-Channel
耗散功率:330 W
阈值电压:4 V
输入电容:6450 pF
漏源极电压(Vds):40 V
漏源击穿电压:40 V
连续漏极电流(Ids):280A
上升时间:120 ns
输入电容(Ciss):6450pF 25V(Vds)
下降时间:130 ns
工作温度(Max):175℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):300W(Tc)
安装方式:Through Hole
引脚数:3
封装:TO-220-3
长度:10.66 mm
宽度:4.83 mm
高度:9.02 mm
封装:TO-220-3
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tube
制造应用:电源管理