IRF240是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率控制领域。这款MOSFET具有较高的电流容量和良好的热稳定性,适用于需要高效率和高性能的电子系统中。
类型:N沟道
最大漏极电流:10A
最大漏源电压:200V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(RDS(on)):0.18Ω(最大)
功率耗散:50W
工作温度范围:-55°C至150°C
IRF240的主要特性包括低导通电阻,能够显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率;其高耐压特性使其能够在较高的电压下稳定工作,适用于多种电源转换和电机控制应用。
此外,IRF240采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够承受较高的功率耗散,确保在高负载条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽,支持与多种驱动电路兼容,简化了设计和应用。
该器件还具有快速开关特性,减少了开关损耗,提高了系统的响应速度和效率。这些特性使其在开关电源、直流电机控制、逆变器和电池管理系统中表现出色。
IRF240通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和电池管理系统等应用中。它也适用于需要高效功率控制的工业自动化和消费电子产品。
IRF240A, IRF244, IRF250