类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7.0 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.8 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω @ VGS = 5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：100 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：50 ns
　　功耗（PD）：50 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220

IRF223 N沟道MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能与高可靠性设计。首先，该器件拥有高达500V的漏源击穿电压，使其适用于多种中高压应用场景，例如开关模式电源（SMPS）、逆变器以及感应加热系统等。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，特别是在高电流负载条件下，有助于提升整体系统效率并减少发热。当栅极驱动电压为10V时，RDS(on)仅为0.8Ω，而在5V逻辑电平驱动下仍可保持1.0Ω的低阻值，这使得IRF223既能用于标准驱动电路，也能兼容微控制器输出的较低电压信号，增强了系统的灵活性。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，这种结构不仅提升了单位面积内的载流子迁移率，还有效减小了器件的寄生参数，从而改善了开关速度和高频响应能力。快速的开关特性意味着更短的开通和关断时间，减少了开关过程中的能量损耗，对于提高DC-DC转换器或PWM控制电路的能效至关重要。同时，输入和输出电容较小，进一步降低了驱动电路所需的充电能量，减轻了驱动级的负担。
　　再者，IRF223具备出色的热稳定性和长期可靠性。其最大功耗可达50W，并可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，适应严苛的工业环境。TO-220封装提供了良好的热传导路径，便于通过外接散热片进行主动冷却。此外，该器件内置了强大的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载突变时避免损坏，增强了系统安全性。栅极氧化层经过特殊处理，可承受±30V的栅源电压，防止因静电放电（ESD）或驱动异常导致的失效。综合这些特点，IRF223成为许多中功率电力电子设计中的理想选择。

IRF223被广泛应用于各类需要高效、可靠功率控制的电子设备中。典型应用包括开关电源（如AC-DC适配器、离线式电源）、DC-DC升压/降压转换器、电机驱动电路（如小型直流电机、步进电机控制）、逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、照明控制系统（如LED驱动电源、电子镇流器）以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备较高的电压等级和较强的电流承载能力，常作为主开关元件使用在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中。此外，在消费类电子产品如电视、音响设备的电源部分也常见其身影。在汽车电子领域，虽然非专用车规级型号，但在某些辅助电源或车载充电装置中也有应用实例。其快速开关特性和低导通损耗特别适合高频操作环境，有助于缩小磁性元件体积并提升电源整体效率。同时，得益于其逻辑电平兼容性，可以直接由微控制器或PWM控制器驱动，简化了驱动电路设计，降低了系统成本。因此，无论是工业控制、能源转换还是家电产品，IRF223都能提供稳定且高效的功率管理解决方案。

SPW20N50C3, FQP50N50, STP7NK50ZFP, 2SK3562