您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF1902TRPBF

IRF1902TRPBF 发布时间 时间:2025/5/29 11:22:06 查看 阅读:9

IRF1902TRPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装形式,适用于多种电源管理应用,包括开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等场景。其低导通电阻和高击穿电压的特点使得IRF1902TRPBF成为高效能功率转换的理想选择。
  这款功率MOSFET在设计上注重降低传导损耗和开关损耗,同时提供良好的热性能以支持更高的功率密度。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总栅极电荷:45nC
  输入电容:1500pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF1902TRPBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 较高的漏源击穿电压(Vds),使其能够承受更高电压的应用环境。
  3. 高速开关能力,得益于较低的总栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss)。
  4. 优化的热阻抗设计,确保了良好的散热性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. 封装形式为TO-263-3,适合表面贴装技术(SMT)应用。

应用

IRF1902TRPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如AC-DC适配器和工业电源供应。
  2. 各类DC-DC转换器,包括降压、升压及反激式拓扑结构。
  3. 电机驱动器,用于控制步进电机、无刷直流电机(BLDC)和其他类型电机。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 电动汽车充电站和其他新能源相关应用。
  6. 大功率LED驱动电路。

替代型号

IRF1902TRPBF, IRF1902G, IRFZ44N, FDP5580

IRF1902TRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF1902TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds310pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF1902TRPBF-NDIRF1902TRPBFTR