时间：2025/5/29 11:22:06
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IRF1902TRPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装形式，适用于多种电源管理应用，包括开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等场景。其低导通电阻和高击穿电压的特点使得IRF1902TRPBF成为高效能功率转换的理想选择。
这款功率MOSFET在设计上注重降低传导损耗和开关损耗，同时提供良好的热性能以支持更高的功率密度。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
总栅极电荷：45nC
输入电容：1500pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF1902TRPBF具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 较高的漏源击穿电压（Vds），使其能够承受更高电压的应用环境。
3. 高速开关能力，得益于较低的总栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss）。
4. 优化的热阻抗设计，确保了良好的散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 封装形式为TO-263-3，适合表面贴装技术（SMT）应用。
IRF1902TRPBF广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如AC-DC适配器和工业电源供应。
2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机驱动器，用于控制步进电机、无刷直流电机（BLDC）和其他类型电机。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电动汽车充电站和其他新能源相关应用。
6. 大功率LED驱动电路。
IRF1902TRPBF, IRF1902G, IRFZ44N, FDP5580
