时间：2025/6/20 12:46:51
阅读：3
IRF1607PBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen II 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效功率转换的应用场合。
其封装形式为 SO-8 封装，支持表面贴装技术（SMT），适合大规模自动化生产。IRF1607PBF 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及负载开关等场景。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
总栅极电荷：14nC
输入电容：1170pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IRF1607PBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高额定电流能力，使其能够在大功率应用中稳定运行。
3. 快速开关性能，降低了开关损耗。
4. 提供卓越的热稳定性，能够承受极端温度环境。
5. 支持高频操作，非常适合于现代高效的功率转换设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种电路中。
IRF1607PBF 主要用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级控制。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 同步整流电路中的整流管角色。
4. 电机驱动应用中的桥式电路或 H 桥结构。
5. 可编程逻辑控制器（PLC）和工业自动化设备中的功率输出模块。
6. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
IRF1608PBF, IRF1609PBF, Si4463DP
