类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：160 A
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：250 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220

IRF150CHP 凭借其先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力和高耐压特性使其适用于高功率应用，例如电源供应器、DC-DC 转换器和电机控制系统。此外，IRF150CHP 还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关操作。
　　该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。器件内部设计优化了热阻，提高了热稳定性，延长了使用寿命。此外，IRF150CHP 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提升了应用的灵活性。由于其出色的电气特性和高可靠性，IRF150CHP 被广泛应用于工业控制、通信电源、电动车电池管理系统以及太阳能逆变器等领域。

IRF150CHP 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：电源供应器、DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、电动车充电模块、太阳能逆变器、工业自动化设备以及高功率 LED 驱动器等。其高电流承载能力和低导通电阻特性，使其在高频开关电路中表现出色，能够有效提升整体系统效率。

SiHF160N10T-GE3, IXFH160N10T2