您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF1405PBF

IRF1405PBF 发布时间 时间:2024/8/23 15:14:21 查看 阅读:781

HEXFET?功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术,实现了每硅面积极低的导通电阻。这种HEXFET功率MOSFET的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复伏安额定值。这些优点相结合,使这种设计成为一种极其高效可靠的设备,可用于各种应用。

优势说明

先进工艺技术
  超低导通电阻
  动态dv/dt额定值
  175°C工作温度
  快速切换
  允许高达Tjmax的重复雪崩
  无铅

技术参数

额定功率:200 W
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.0053Ω
  极性:N-CH
  耗散功率:330 W
  阈值电压:4 V
  输入电容:5480 pF
  漏源极电压(Vds):55 V
  漏源击穿电压:55 V
  连续漏极电流(Ids):169A
  上升时间:190 ns
  输入电容(Ciss):5480pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):330 W
  下降时间:10 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):330W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  高度:8.77 mm
  封装:TO-220-3

物理参数

材质:Silicon
  工作温度:-55℃~175℃(TJ)

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他说明

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:Automotive,车用

IRF1405PBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF1405PBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF1405PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C169A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.3 毫欧 @ 101A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5480pF @ 25V
  • 功率 - 最大330W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF1405PBF