IRF1404SPBF 时间：2025/8/28 17:34:21 阅读：6

IRF1404SPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流、高频开关应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。IRF1404SPBF采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适合于需要高可靠性和高性能的工业和汽车应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：82A
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB
　　引脚数：3

特性

IRF1404SPBF 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻在Vgs=10V时仅为4.7mΩ，适用于高效率电源转换器设计。
　　其次，IRF1404SPBF支持高达82A的连续漏极电流，适用于高功率密度应用。同时，其最大漏源电压为40V，适用于中低电压功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
　　该MOSFET采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。其最大功耗为200W，能够在较高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，IRF1404SPBF具有宽泛的栅极电压范围（±20V），确保其在各种驱动电路中都能可靠工作。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车环境。
　　综合来看，IRF1404SPBF是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，特别适合于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。

应用

IRF1404SPBF 主要应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池充电器、工业自动化设备和汽车电子系统。在DC-DC转换器中，它可用于同步整流和高频开关，以提高转换效率。在电机控制电路中，该MOSFET可用于H桥驱动和PWM控制，实现精确的转速和方向控制。此外，它还可用于电池管理系统中的开关元件，确保能量高效传输。由于其优异的热性能和高电流能力，IRF1404SPBF也广泛用于高功率LED驱动、电源分配系统和嵌入式电源模块。