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IRF1404PBF 发布时间 时间:2024/7/10 14:43:51 查看 阅读:389

IRF1404PBF是一款功率MOSFET,属于国际整流公司(International Rectifier)生产的产品之一。它采用了先进的硅技术,在高压和高速开关应用中表现出色。该器件采用TO-220封装,可以承受高达500V的电压,最大漏电流为0.4mA。IRF1404PBF的最大导通电阻为0.0045Ω,最大额定电流为202A,最大功耗为330W。它还具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等特点,因此非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理等高功率应用领域。
  IRF1404PBF的特点如下:
  1、采用先进的硅技术,能够承受高电压和高速开关应用。
  2、最大可承受电压高达500V,最大漏电流为0.4mA。
  3、具有低导通电阻、高开关速度和低输入电容等特点。
  4、适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理等高功率应用领域。
  5、封装采用TO-220,方便使用和安装。

参数指标

IRF1404PBF是一款高性能功率MOSFET,其主要参数和指标如下:
  1、最大承受电压:500V
  2、最大漏电流:0.4mA
  3、最大导通电阻:0.0045Ω
  4、最大额定电流:202A
  5、最大功耗:330W
  6、封装形式:TO-220
  7、工作温度范围:-55℃ ~ 175℃

组成结构

IRF1404PBF由P型衬底、N型漏源区、栅极、漏极等组成。
  1、P型衬底:是一种带正电荷的硅衬底,用于提供MOSFET的结构支撑和电性质调节。
  2、N型漏源区:是一片带负电荷的硅片,用于与P型衬底形成PN结,产生漏源结。
  3、栅极:是一片金属片,用于控制MOSFET的导通和截止。
  4、漏极:是一片金属片,用于连接电路的负极,也是MOSFET的输出端。

工作原理

IRF1404PBF的工作原理基于MOSFET的三极管模型。当栅极施加正电压时,它会形成一个电场,将N型漏源区中的自由电子吸引到栅极附近,形成一个电子云。这个电子云中的自由电子会形成一个导电通道,使漏源区和栅极之间的电阻变得非常小,从而使电流得以通过MOSFET。当栅极施加负电压时,电场会消失,电子云会消失,MOSFET会截止,电流无法通过。

技术要点

1、采用先进的硅技术,能够承受高电压和高速开关应用。
  2、最大可承受电压高达500V,最大漏电流为0.4mA。
  3、具有低导通电阻、高开关速度和低输入电容等特点。
  4、适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理等高功率应用领域。
  5、封装采用TO-220,方便使用和安装。

设计流程

1、确定应用场景:根据电路的需求和应用场景,确定IRF1404PBF的使用条件。
  2、电路设计:根据IRF1404PBF的参数和指标,设计合适的电路。
  3、PCB布局:根据电路设计,进行PCB布局设计,保证电路的稳定性和可靠性。
  4、元器件选型:根据电路设计和PCB布局,选择合适的元器件,包括电容、电感、二极管等。
  5、PCB制作:根据PCB布局设计,制作PCB板。
  6、元器件安装:根据PCB布局和元器件选型,进行元器件的安装。
  7、调试测试:进行电路调试和测试,验证电路的性能和可靠性。

注意事项

1、在使用IRF1404PBF时,应注意防止静电干扰,避免元器件损坏。
  2、在元器件安装过程中,应注意正确安装方向,避免反向安装和错位安装。
  3、在进行电路调试和测试时,应注意安全措施,避免触电和短路等事故。
  4、在高功率应用场景中,应注意散热和温度控制,避免元器件损坏和电路失效。

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IRF1404PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C202A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 121A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs196nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5669pF @ 25V
  • 功率 - 最大333W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF1404PBF