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IRF1010EZS 发布时间 时间:2025/6/4 18:07:22 查看 阅读:4

IRF1010EZS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 TO-263 封装。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及逆变器等场景。
  IRF1010EZS 的主要优势在于其优化了 RDS(on) 和栅极电荷之间的平衡,从而降低了传导损耗和开关损耗,适合需要高效率的应用环境。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.7mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:48nC
  总电容(输入电容):1900pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-263

特性

IRF1010EZS 提供了卓越的性能表现,特别是在高功率密度的应用中:
  1. 极低的导通电阻确保了在大电流条件下较低的功耗。
  2. 快速的开关速度使其非常适合高频工作场景,能够减少开关损耗。
  3. 高额定电流支持多种功率级别的应用需求。
  4. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
  5. 内部采用了 Vishay 先进的 MOSFET 技术,保证了长期使用的稳定性和耐用性。

应用

这款 MOSFET 常见于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
  2. 电机驱动电路中的桥式配置。
  3. 太阳能逆变器及电池管理系统。
  4. 各类工业自动化设备中的负载切换。
  5. LED 照明驱动器以实现高效调光功能。

替代型号

IRFZ44N, IRFP2907PBF, STP30NF06L

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IRF1010EZS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 51A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2810pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF1010EZS