IRF1010EZS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 TO-263 封装。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及逆变器等场景。
IRF1010EZS 的主要优势在于其优化了 RDS(on) 和栅极电荷之间的平衡,从而降低了传导损耗和开关损耗,适合需要高效率的应用环境。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:38A
导通电阻:1.7mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:48nC
总电容(输入电容):1900pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-263
IRF1010EZS 提供了卓越的性能表现,特别是在高功率密度的应用中:
1. 极低的导通电阻确保了在大电流条件下较低的功耗。
2. 快速的开关速度使其非常适合高频工作场景,能够减少开关损耗。
3. 高额定电流支持多种功率级别的应用需求。
4. 热稳定性好,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 内部采用了 Vishay 先进的 MOSFET 技术,保证了长期使用的稳定性和耐用性。
这款 MOSFET 常见于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 电机驱动电路中的桥式配置。
3. 太阳能逆变器及电池管理系统。
4. 各类工业自动化设备中的负载切换。
5. LED 照明驱动器以实现高效调光功能。
IRFZ44N, IRFP2907PBF, STP30NF06L