类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：55V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　脉冲漏极电流（Idm）：390A
　　导通电阻Rds(on)：0.018Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：0.023Ω @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4000pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45ns
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-220

IRF064 N沟道MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs = 10V时仅为0.018Ω，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提升了电源系统的整体效率。该特性使其非常适合用于高电流密度的设计，例如大功率DC-DC变换器和电池供电系统中的主开关元件。得益于英飞凌先进的沟槽式栅极技术，IRF064实现了更高的载流子迁移率和更均匀的电流分布，从而在保证高性能的同时也提高了器件的可靠性和耐用性。
　　该器件具备出色的开关特性，其输入电容（Ciss）为4000pF，在高频开关应用中表现出良好的响应速度，有助于减少开关延迟和过渡损耗。配合快速的反向恢复时间（trr ≈ 45ns），能够有效降低与体二极管相关的能量损耗，特别适用于同步整流和半桥/全桥拓扑结构。此外，IRF064支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的驱动兼容性，可在多种栅极驱动电路中稳定工作，避免因电压波动导致的误触发或栅极击穿。
　　在热性能方面，IRF064的最大功耗可达200W，结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在高温工业环境或密闭空间中仍能可靠运行。其TO-220封装不仅机械强度高，而且便于加装散热片，进一步增强了散热能力。该MOSFET还具备一定的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载断开时提供自我保护，减少外部保护电路的复杂度，提升系统鲁棒性。综合来看，IRF064是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、尺寸和热管理有严格要求的应用场景。

IRF064广泛应用于各类中高功率电子系统中，尤其适合作为开关模式电源（SMPS）中的主开关器件，可用于AC-DC和DC-DC转换器，特别是在低压大电流输出的电源设计中表现优异。在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，其低导通电阻和高电流能力可显著提升能效并减少发热。此外，该器件常用于电机驱动电路，如直流电机控制、步进电机驱动和电动工具中的H桥拓扑，凭借其快速开关特性和高耐流能力，能够实现平滑的转矩控制和高效的能量利用。
　　在电池管理系统（BMS）和电动车辆（EV）相关设备中，IRF064可用于电池充放电控制、预充电路以及负载开关，其高可靠性和宽温度范围确保在复杂工况下长期稳定运行。它也常见于逆变器设计，包括太阳能逆变器和UPS不间断电源，作为DC到AC转换阶段的关键开关元件。在这些应用中，器件的快速开关响应和低损耗特性有助于提高逆变效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　此外，IRF064还可用于各种消费类电子产品中的功率调节模块，如大功率LED驱动、笔记本电脑适配器和便携式储能设备。其TO-220封装易于手工焊接和自动化装配，适合批量生产。由于其具备良好的抗浪涌能力和热稳定性，也可用于工业自动化设备、PLC模块和电源分配单元中的固态继电器替代方案。总之，IRF064凭借其优异的电气和热性能，成为众多高效率、高可靠性功率应用的理想选择。

IRF3205,IRL3803,IRF1404,IRF3710