时间：2025/8/27 23:43:46
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IR9358N1/T1 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款双N沟道增强型功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用。
类型：功率MOSFET
沟道类型：双N沟道增强型
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：11A（单通道）
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2.5W
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IR9358N1/T1 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)仅为18mΩ，而在4.5V时为26mΩ，这种特性使得该器件可以在不同的栅极驱动电压下保持较低的导通损耗，适用于多种应用环境。
其次，该MOSFET采用了双N沟道结构，允许在一个封装内集成两个独立的MOSFET，这不仅节省了PCB空间，还简化了电路设计。其最大连续漏极电流为11A，每个通道都能提供高电流处理能力，适用于高负载的应用场景。
IR9358N1/T1 主要应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合。在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，该器件可用于提高能效并延长电池续航时间。在工业控制领域，如伺服电机驱动和电源分配系统，IR9358N1/T1 可用于实现更紧凑和高效的电路设计。
Si3442CDV-T1-E3, BSC010N03MS, IR71441PbF
