型号: IR93403N
　　封装类型: SOIC
　　引脚数: 8
　　工作电压范围: 5V 至 20V
　　输出电流能力: 高达1.5A（峰值）
　　驱动类型: 高边和低边驱动器
　　传播延迟: 典型值为15ns
　　工作温度范围: -40°C 至 +150°C
　　输入逻辑类型: 兼容CMOS/TTL
　　最大工作频率: 支持MHz级操作
　　栅极驱动电压范围: 4.5V 至 18V
　　欠压锁定（UVLO）功能: 支持
　　

IR93403N具备多项先进特性，使其在高性能电源转换系统中表现出色。
　　首先，该器件采用半桥驱动结构，内置高端和低端MOSFET驱动器，能够高效控制功率MOSFET的开关动作。其驱动能力高达1.5A峰值电流，可快速驱动大功率MOSFET，减少开关损耗并提高系统效率。
　　其次，IR93403N具有极低的传播延迟（典型值为15ns），并确保高端与低端驱动信号之间的延迟匹配，从而降低交叉导通的风险，提高系统稳定性。此外，其死区时间控制精确，有助于防止上下桥臂同时导通造成的直通电流问题。
　　该器件还集成了欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于安全阈值时，驱动器将自动关闭输出，防止MOSFET在非理想条件下工作，从而保护功率器件免受损坏。IR93403N支持宽输入电压范围（5V至20V），使其适用于多种电源拓扑结构，包括同步降压、升压和全桥/半桥变换器。
　　在封装方面，IR93403N采用8引脚SOIC封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。其输入逻辑兼容CMOS/TTL电平，便于与控制器或PWM发生器连接，简化系统集成。
　　此外，IR93403N具备出色的抗噪能力，能够在高dv/dt环境下稳定工作，适用于高频开关应用。其高边驱动器采用自举供电方式，减少了对外部电源的需求，提高了系统的灵活性和可靠性。

IR93403N广泛应用于各类高性能电源转换系统中。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流控制，提高转换效率并减小功率损耗。在电机驱动和伺服控制应用中，IR93403N能够高效驱动H桥结构中的MOSFET，实现精准的速度和方向控制。此外，该器件适用于工业电源、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等高要求应用场景。其高集成度和优异的动态响应能力也使其成为数字电源和智能功率模块（IPM）设计中的理想选择。

IR2086S, IRS2004, LM5101B, NCP81071