时间：2025/8/29 19:11:47
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IR908-7C(E4) 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率密度应用。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和优良的热性能，适合用于电源转换器、电机控制和电源管理等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：100A
最大漏极-源极电压：75V
最大栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：7.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IR908-7C(E4) 的主要特性包括其先进的沟槽技术，这种技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其低导通电阻使其在高电流应用中表现出色，同时具有良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET支持高达100A的漏极电流，适用于高功率密度的电源设计，如DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制应用。此外，IR908-7C(E4) 的栅极驱动电压范围为±20V，使其能够与多种驱动电路兼容，同时具备良好的抗噪声能力和可靠性。
封装采用TO-263（D2PAK）形式，提供了良好的散热性能和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品对环保的要求。
IR908-7C(E4) 广泛应用于多种高功率电子系统，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在电源管理领域，IR908-7C(E4) 可用于同步整流器、负载开关和电流调节器，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电源效率。在电机控制方面，该MOSFET可用于H桥驱动器、直流电机控制器和步进电机驱动电路，提供快速的开关速度和低损耗特性。
此外，IR908-7C(E4) 也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和储能系统中的功率控制部分，其高电流承载能力和优异的热稳定性使其在这些高要求环境中表现出色。
IRF1010E, IRF3710, SiR100DP
