类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：160A
　　脉冲漏极电流ID_pulse：480A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：2.8mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：4.0mθ
　　栅极电荷Qg（典型值）：75nC
　　输入电容Ciss（典型值）：4000pF
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：35ns
　　反向恢复时间trr（典型值）：30ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DirectFET SM (Surface Mount)
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：单通道

IR7807Z具备多项关键特性，使其在高性能功率管理应用中表现卓越。首先，其极低的导通电阻RDS(on)显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提高了电源系统的整体能效。例如，在VGS=10V时，最大RDS(on)仅为2.8mΩ，这使得即使在高负载条件下也能保持较低的温升，减少对额外散热措施的需求。
　　其次，该器件采用了DirectFET封装技术，这是一种创新的金属顶部封装结构，具有非常低的内部热阻（RθJC），可实现高效的热传导。通过将器件直接焊接在PCB上，并利用大面积铜箔进行散热，可以大幅提高功率密度，特别适合空间受限但要求高功率输出的应用场景。
　　第三，IR7807Z拥有良好的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着它可以在高频下快速开启和关闭，从而减少开关损耗，提升转换效率。这对于现代高频DC-DC变换器至关重要，尤其是在服务器电源、笔记本电脑适配器和通信设备电源模块中。
　　此外，该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统的鲁棒性。同时，其坚固的栅氧层设计确保了长期使用的可靠性，避免因栅极击穿导致的早期失效。
　　最后，IR7807Z支持同步整流拓扑中的高效工作模式，在Buck、Boost或半桥/全桥配置中均可作为主开关或同步整流管使用，展现出广泛的适用性。综合这些特性，IR7807Z成为追求高效率、高功率密度和高可靠性的电源设计的理想选择。

IR7807Z广泛用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。主要应用场景包括服务器和工作站的VRM（电压调节模块），其中多个IR7807Z并联使用以满足CPU所需的低电压、大电流供电需求。此外，它也常用于通信设备的DC-DC中间母线转换器，特别是在48V转12V或12V转负载点（POL）的非隔离式降压变换器中，发挥其低RDS(on)和优良热性能的优势。
　　在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理系统中，IR7807Z被用作主开关管或同步整流管，帮助实现轻薄化设计的同时维持较高的转换效率。其表面贴装DirectFET封装非常适合自动化贴片生产，有利于提高制造良率和一致性。
　　工业控制领域也是其重要应用方向之一，如PLC电源模块、伺服驱动器和工业电源单元中，IR7807Z可用于电机驱动电路中的H桥结构或开关电源部分，提供稳定可靠的功率切换能力。
　　另外，在LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及太阳能微逆变器等新兴绿色能源应用中，该器件同样表现出色，因其能够在宽温度范围内稳定运行，并适应复杂的电磁环境。总之，凡是对效率、散热和空间有严格要求的中高端功率转换场合，IR7807Z都是一个值得信赖的选择。

IRLHS7807PbF
　　SiR780DP
　　AOZ5233EQI