类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：62A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：248A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（@ VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.7mΩ（@ VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2080pF（@ VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：640pF（@ VDS=15V）
　　反向传输电容（Crss）：90pF（@ VDS=15V）
　　栅极电荷（Qg）：54nC（@ VGS=10V）
　　上升时间（tr）：24ns
　　下降时间（tf）：32ns
　　体二极管反向恢复时间（trr）：38ns
　　最大功耗（Ptot）：200W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C

IR7807V采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，通过优化单元密度和掺杂分布，在保持高击穿电压的同时显著降低了导通电阻。其典型的RDS(on)仅为4.5mΩ（在VGS=10V时），这使得在大电流应用中能够有效减少导通损耗，提升系统能效。该器件的低栅极电荷（Qg=54nC）和低输入电容（Ciss=2080pF）使其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路所需的功率，同时加快了开关速度，降低了开关过渡过程中的能量损耗。此外，其较小的反向传输电容（Crss）有助于抑制米勒效应，提高抗噪声能力，防止误触发，特别适合用于同步整流和半桥/全桥拓扑结构中。
　　该MOSFET具备出色的热性能，其封装设计具有良好的热传导路径，能够在高温环境下持续工作。结温最高可达+175°C，并具备良好的热循环稳定性，确保长期可靠性。器件内部的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=38ns），可减少反向恢复电荷（Qrr），从而降低在感性负载切换时的能量损耗和电压尖峰，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。此外，IR7807V经过严格的雪崩测试，具备较高的单脉冲雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或电感突变情况下保持安全运行，适用于电机启动、电池管理系统等易产生电压冲击的应用场景。
　　在制造工艺方面，IR7807V采用了英飞凌成熟的质量控制流程，确保批次一致性与高良率。其符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（视具体版本而定），可用于车载电子系统如车载充电机、DC-DC变换器等。同时，器件支持表面贴装（如D2PAK）和通孔安装（TO-220）两种方式，适应多种PCB设计需求。整体而言，IR7807V是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，结合了低损耗、高电流能力和稳健的保护特性，是现代高效电源设计的理想选择之一。

IR7807V因其高电流承载能力、低导通电阻和优良的开关特性，被广泛应用于各类中高功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在同步降压转换器中作为下管或上管使用，能够显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器模块中，该器件常用于服务器电源、通信电源和工业电源系统，满足对高功率密度和高效率的需求。此外，它也适用于电池供电设备中的功率管理电路，例如电动工具、无人机和便携式储能设备，能够在有限空间内实现大电流输出。
　　在电机驱动领域，IR7807V可用于直流电机、步进电机和BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，提供快速响应和低损耗的开关控制。其坚固的结构和高雪崩耐量使其能在频繁启停和负载突变的工况下稳定运行。在新能源系统中，如太阳能逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）中，该MOSFET可用于辅助电源或低压DC-DC转换部分，确保系统在宽输入电压范围内的高效运行。此外，由于其良好的热性能和可靠性，IR7807V也被用于工业自动化设备、PLC模块、UPS不间断电源以及各类电源适配器中，作为关键的功率开关元件。总的来说，该器件适用于所有需要高效率、高电流和高可靠性的低压功率转换场合。

IRF7807Z
　　IRL7807
　　FDP7807
　　STP75NF75
　　IPB07N04LD