类型：高压栅极驱动器
　　通道类型：高低侧驱动
　　输出电流峰值：2.0A（典型值）
　　最大工作电压（VS）：600V
　　逻辑输入电压兼容：TTL/CMOS
　　供电电压范围（VCC）：10V 至 20V
　　传播延迟时间：≤500ns（典型值）
　　上升时间（tr）：25ns（负载1000pF）
　　下降时间（tf）：20ns（负载1000pF）
　　输入反相/同相配置：可配置
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：SOIC-8, DIP-8

IR7416具备卓越的高侧驱动能力，采用自举架构实现浮动电源供电，允许其驱动串联在直流母线上的N沟道MOSFET。这种设计相比P沟道器件具有更低的导通电阻和更高的效率，因此在高频开关应用中极具优势。其高噪声 immunity 特性得益于内部电平移位技术和优化的布线设计，即使在存在强烈电磁干扰的环境中也能保持信号完整性，有效防止误触发。
　　芯片内置的欠压锁定（UVLO）电路对高侧和低侧均提供独立保护。当VCC电压未达到启动阈值时，输出将保持低电平状态，避免因驱动电压不足导致MOSFET工作在线性区而引发过热烧毁。UVLO具有迟滞特性，增强了系统的稳定性。此外，IR7416的输入端设有施密特触发器，提升了抗干扰能力，尤其适合长线传输或噪声环境下的数字控制信号接入。
　　该驱动器的传播延迟匹配性优异，高侧与低侧通道之间的延迟差非常小，这有助于精确控制死区时间，在桥式电路中防止上下管同时导通造成的短路故障。其输出级采用图腾柱结构，能够快速充放电MOSFET栅极电容，从而减少开关损耗，提升整体能效。驱动能力强，支持最高2A的峰值拉电流和灌电流，足以驱动大功率IGBT或多个并联MOSFET。
　　IR7416还具备一定的热关断保护机制，当芯片结温过高时会自动限制输出，防止永久性损伤。尽管其主要依赖外部散热设计，但内部保护逻辑仍显著提高了系统的鲁棒性。此外，该芯片支持高达数百kHz的开关频率，适用于现代高频化、小型化的电源设计趋势。其引脚排列经过优化，便于PCB布局中的隔离处理，尤其是高侧浮地部分与逻辑地之间的爬电距离管理更为方便。

IR7416广泛应用于各类需要高效驱动N沟道功率器件的电力电子系统中。典型应用场景包括交流电机驱动器，如变频空调、冰箱压缩机和工业风机控制系统，其中它用于驱动半桥或全桥电路中的MOSFET或IGBT模块。在这些系统中，精准的时序控制和高抗干扰能力至关重要，IR7416正好满足这一需求。
　　在不间断电源（UPS）和逆变器设备中，IR7416常被用作DC-AC转换级的核心驱动元件，配合PWM控制器实现正弦波或方波输出。其高耐压能力和稳定的自举工作模式使其能够在400V以上母线电压下长期可靠运行。太阳能光伏逆变器也大量采用此类高压驱动IC，以提高能量转换效率并降低系统成本。
　　此外，该芯片适用于感应加热、焊机电源、LED恒流驱动电源以及电动工具中的无刷直流电机（BLDC）控制器。在这些应用中，IR7416不仅提供了高效的开关驱动能力，还通过集成保护功能简化了外围电路设计，减少了元器件数量和故障率。由于其支持高频操作，有助于减小磁性元件体积，推动产品向轻薄紧凑方向发展。
　　在工业自动化领域，IR7416可用于伺服驱动器和PLC输出模块中，作为功率接口的一部分。其宽温工作范围和高可靠性使其适应恶劣的工业环境。总体而言，任何涉及高压桥式拓扑结构且需隔离驱动的场合，都是IR7416的理想应用领域。

IRS2116, IR2110, IRS21844, UCC27531