制造商：Infineon Technologies
　　系列：IR6311
　　产品类型：多相降压控制器
　　拓扑结构：同步降压（多相）
　　控制模式：电流模式控制
　　相数支持：最多支持6相
　　输入电压范围：4.5V ~ 20V
　　工作频率范围：200kHz ~ 1.5MHz
　　参考电压精度：±0.5%（典型值）
　　支持协议：SVID 1.0 / VR13.x / VR12.x
　　输出电压范围：0.25V ~ 1.5V
　　可编程性：通过I2C/SVID接口配置
　　封装类型：QFN-40
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C（Tj）
　　集成LDO：支持内部供电管理
　　电流检测方式：电感DCR或无损电流检测

IR6311G具备先进的多相电流模式控制架构，能够在宽负载范围内提供卓越的瞬态响应和电压调节精度。其核心特性之一是支持SVID（Serial Voltage ID）数字接口，允许CPU或GPU根据实时工作负载动态调整输出电压，实现自适应电压调节（AVS），从而显著提升能效并减少不必要的功耗。该控制器采用高精度±0.5%的基准电压源，确保输出电压的稳定性，满足现代处理器对核心电压日益严格的容差要求。在动态负载变化时，IR6311G通过快速相位调度和电流平衡技术，有效抑制电压过冲和下冲，保障系统稳定运行。
　　该器件支持最多6个并联相位，每个相位可独立调节，实现均流控制，避免个别相位过载，延长系统寿命。其内置的无损电流检测电路或兼容DCR的电流检测方案，不仅提高了效率，还减少了外部元件数量，简化了PCB布局。此外，IR6311G集成了全面的保护机制：过压保护（OVP）可防止因反馈环路故障导致的电压失控；欠压锁定（UVLO）确保控制器仅在输入电压稳定后启动；逐周期过流保护（OCP）可在短路或过载时迅速关断输出；过温保护（OTP）则在芯片结温过高时触发关机，防止热损坏。
　　IR6311G采用QFN-40封装，具有优良的散热性能和小型化优势，适合高密度板级设计。其工作频率可编程，支持从200kHz到1.5MHz的宽范围设置，便于设计者根据效率、尺寸和EMI要求进行优化。内部集成的LDO为控制器自身供电，降低了对外部电源的依赖。该芯片还支持非易失性存储配置参数，在系统重启后可自动加载预设设置，提升系统启动的一致性和可靠性。整体而言，IR6311G是一款面向高性能计算平台的智能化、高集成度电源管理解决方案，兼顾性能、效率与可靠性。

IR6311G广泛应用于需要高效、高精度多相电源管理的高端电子系统中。其主要应用场景包括服务器主板和数据中心计算平台，用于为核心处理器（如Intel Xeon或AMD EPYC系列）提供稳定的核心电压（Vcore）。在高性能工作站和高端桌面PC中，该控制器同样适用于为高功耗GPU或FPGA供电，满足其在高负载运算、人工智能推理、视频渲染等任务下的动态电流需求。此外，通信基础设施设备，如5G基站、网络交换机和路由器中的数字信号处理器（DSP）和ASIC，也常采用IR6311G构建可靠的电源子系统。
　　由于其支持SVID协议和AVS功能，IR6311G特别适用于需要与处理器进行智能通信的自适应电源管理系统。在这些系统中，电源控制器能够根据处理器的工作状态（如P-state切换）实时调整输出电压，实现功耗最优化。同时，其多相架构和高效率特性使其在空间受限但散热要求高的嵌入式计算模块（如COM Express、Mini-ITX等）中具有重要价值。工业自动化设备、测试测量仪器以及高性能存储控制器等对电源稳定性要求极高的领域，也是IR6311G的典型应用方向。总之，凡是对动态响应、电压精度和系统可靠性有严苛要求的高功率数字负载，均可受益于IR6311G所提供的先进电源管理能力。

IR6311D
　　IR6311C
　　ISL6263
　　TPS53647