型号：IR530N
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：14 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：56 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.16 Ω（最大值，典型测试条件）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V 至 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（典型值，Vds=50V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：370 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：47 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

IR530N采用了英飞凌成熟的沟槽式MOSFET工艺技术，这种结构能够有效降低器件的导通电阻，从而减少导通损耗并提高整体能效。其最大漏源电压可达100V，允许其在中等高压环境中可靠运行，例如在12V、24V或48V的直流电源系统中进行开关控制。该器件的连续漏极电流高达14A，意味着它可以驱动较高功率的负载，如直流电机、电磁阀或大功率LED阵列。同时，其脉冲漏极电流可达56A，表明在短时间内可以承受更大的瞬态电流，这在启动电机或应对突发负载变化时尤为重要。
　　Rds(on)的最大值为0.16Ω，这一较低的导通电阻有助于减少功率损耗和发热，提高系统的能量转换效率。尽管如此，在大电流应用中仍建议配合足够尺寸的散热器使用，以确保结温不超过其最大额定值175°C。该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，使其能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括来自微控制器或专用驱动IC的5V TTL信号。然而，为了实现完全导通和最小化导通损耗，通常推荐使用10V左右的栅源驱动电压。
　　输入电容和输出电容分别为1100pF和370pF，这些参数影响了器件的开关速度和驱动电路的设计需求。相对适中的电容值使得IR530N在高频开关应用中表现良好，但需要适当的栅极驱动能力以避免过长的开关过渡时间，从而减少开关损耗。此外，其反向恢复时间约为47ns，说明体二极管的恢复特性较为理想，有助于降低在感性负载关断时产生的电压尖峰和电磁干扰。
　　TO-220封装不仅提供了良好的电气隔离，还具备出色的热传导性能，可通过螺钉或夹具将底部金属片连接到散热片上，实现有效的热量散发。这种封装形式也便于手工焊接和维修，因此在实验室、教学和小批量生产中非常受欢迎。总体而言，IR530N以其坚固的设计、合理的性能参数和广泛的应用适应性，成为许多工程师在选择中功率N沟道MOSFET时的重要参考型号之一。

IR530N广泛应用于各类需要高效开关控制的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC和DC-DC转换器，其中它作为主开关元件负责能量的周期性存储与释放，从而实现电压变换和稳压功能。在电机控制系统中，特别是直流电机的H桥驱动电路中，IR530N可用于控制电机的正反转和调速，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，能够满足动态负载变化的需求。此外，该器件也适用于逆变器设计，如太阳能逆变器或UPS不间断电源，用于将直流电转换为交流电输出。
　　在工业自动化领域，IR530N常被用作固态继电器（SSR）的核心开关元件，替代传统的机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的开关频率。它还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，起到隔离和保护作用。在照明系统中，尤其是大功率LED驱动电路中，IR530N可作为PWM调光的开关器件，精确调节亮度的同时保持高效率。
　　由于其具备一定的抗雪崩能力，IR530N在存在感性负载突变或电压瞬变的环境中表现出较好的鲁棒性，适合用于电磁阀、继电器线圈等感性负载的驱动。此外，在汽车电子辅助系统（非车载动力系统）中，如车窗升降器、风扇控制模块等低压大电流场合也有潜在应用价值。教育和科研机构也常用IR530N作为教学演示和实验平台的核心组件，帮助学生理解MOSFET的工作原理和实际应用方法。

STP14NF10
　　FQP14N10