类型：高压侧栅极驱动器
　　供电电压（VDD）：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：200mA
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容
　　工作频率范围：最高可达 1MHz
　　延迟时间（传播延迟）：典型值 300ns
　　上升时间（tr）：典型值 50ns
　　下降时间（tf）：典型值 50ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：≥ 100kV/μs
　　最大总线电压（VS）：600V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：SOIC-8, DIP-8

IR51H214具备出色的抗噪声能力和高可靠性，这得益于其内部集成的高共模瞬态抗扰度（CMTI）技术，能够在高dv/dt环境下稳定工作，避免因电压突变引起的误触发。该芯片采用电平移位技术，使低边逻辑信号能够高效传输至高边浮动地，从而实现对高侧功率管的精确控制。其输入端兼容TTL和CMOS逻辑电平，方便与各类微控制器、DSP或PWM控制器直接接口，无需额外电平转换电路。输出级采用图腾柱结构，提供快速的上升和下降时间，降低开关损耗，提高整体系统效率。
　　该器件内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当VCC或VBUS电压低于设定阈值时，会自动关闭输出以防止功率器件工作在非饱和区，从而避免过热损坏。此外，IR51H214支持可编程死区时间控制，有效防止半桥电路中上下管同时导通造成的“直通”现象，提升系统的安全性与稳定性。其设计还优化了自举二极管的使用，允许外部使用标准快恢复二极管，降低了整体BOM成本。芯片具备良好的热关断保护机制，在异常温升情况下自动限制输出，保障长期运行可靠性。
　　IR51H214适用于高频开关应用，支持最高1MHz的工作频率，满足现代高效电源对高频化的需求。其小型化的SOIC-8封装不仅节省PCB空间，而且引脚布局经过优化，减少寄生电感和电磁干扰（EMI），提升整体系统EMC性能。由于其高度集成的设计，外围元件数量少，简化了电源设计流程，缩短产品开发周期。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类应用场景。

IR51H214广泛应用于各类需要高侧驱动的功率电子系统中。典型应用包括AC-DC开关电源、DC-DC变换器、离线式反激电源、半桥LLC谐振转换器、电机驱动逆变器、LED恒流驱动电源以及家用电器中的功率控制模块。在空调、洗衣机、冰箱等白色家电中，常用于PFC（功率因数校正）电路或压缩机驱动电路中，作为高侧MOSFET的驱动核心。在工业自动化领域，该芯片可用于伺服驱动器、变频器和UPS不间断电源系统中，提供稳定可靠的栅极驱动信号。
　　此外，IR51H214也适用于照明系统，如电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动器，能够有效提升灯具的启动性能和运行效率。在新能源领域，如太阳能逆变器或电动汽车车载充电机（OBC）中，该芯片可用于辅助电源或预充电路的功率开关驱动。由于其高耐压、高抗干扰能力和宽温工作范围，IR51H214特别适合工作环境恶劣、电磁干扰强烈的工业现场。其紧凑的封装形式也使其成为高密度电源模块的理想选择。无论是批量生产还是原型开发，IR51H214都能提供稳定一致的性能表现，满足多样化的电源设计需求。

IR2113