时间：2025/5/9 19:10:28
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IR4426STRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。它具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够满足高效率、紧凑型设计的需求。
该芯片通过优化的设计，能够在高频工作条件下保持低损耗，并提供稳定的性能表现。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：13.7A
导通电阻（典型值）：19mΩ
栅极电荷：32nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
IR4426STRPBF的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用场合，可以降低开关损耗。
3. 较高的电流承载能力，确保在高负载条件下依然能保持稳定运行。
4. SO-8封装形式，便于安装与散热管理。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用需求。
这款MOSFET适用于多种电子设备和系统中，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 可再生能源系统的逆变器模块。
IRLZ44N, FDP5500, AO3400
