时间：2025/8/29 20:39:24
阅读：6
IR42-21C/TR8 是由 Vishay Semiconductors 生产的一款红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED），主要用于需要红外光发射的应用场合。该器件采用了先进的砷化镓（GaAs）材料技术，能够发射出高功率的近红外光，波长典型值为 870nm。该红外发射二极管适用于各种光电传感、接近检测、物体检测、遥控设备等应用。其表面贴装（SMD）封装设计使其适用于自动化装配流程，具有良好的机械稳定性和环境适应性。
波长: 870nm
正向电压: 1.3V（最大值 1.8V）
正向电流: 100mA
反向电压: 5V
功率耗散: 150mW
工作温度范围: -40°C ~ +100°C
存储温度范围: -40°C ~ +100°C
封装形式: SMD（表面贴装）
发光角度: ±20°
峰值发射强度: 100 mW/sr（典型值）
IR42-21C/TR8 红外发射二极管采用了高性能的 GaAs 材料制造，具备较高的发射效率和稳定性。其典型发射波长为 870nm，在近红外波段中表现出良好的穿透性和感应能力。该器件的正向电压较低，通常在 1.3V 左右，最大不超过 1.8V，适合低功耗设计。最大正向电流可达 100mA，能够提供较强的红外光输出。此外，其反向电压限制为 5V，确保了在反向偏置时的可靠性。
该红外发射二极管采用了表面贴装封装（SMD）设计，便于自动化生产和焊接，适用于现代电子设备的紧凑型布局。其发光角度为 ±20°，可以提供较为集中的红外光束，适用于需要定向发射的应用场合，如红外遥控器、光电开关、接近传感器等。
IR42-21C/TR8 的工作温度范围为 -40°C 至 +100°C，能够在各种环境条件下稳定运行。存储温度范围也为 -40°C 至 +100°C，适用于多种工业和消费类电子产品。其最大功率耗散为 150mW，确保了在高负载工作状态下的稳定性。此外，该器件的峰值发射强度可达 100 mW/sr，为高灵敏度光电接收器提供了良好的信号源。
IR42-21C/TR8 主要用于需要红外发射的电子设备和系统中，常见应用包括红外遥控器、光电传感器、接近检测系统、自动门控制系统、安防设备、工业自动化设备等。由于其发射波长位于 870nm 的近红外区域，适合与红外接收模块（如 IR receiver modules）配合使用，实现无线红外通信或检测功能。
在消费类电子产品中，IR42-21C/TR8 可用于电视、机顶盒、空调等设备的遥控接收系统中的发射端。在工业应用中，它可用于非接触式物体检测、物料计数、安全防护系统等。此外，在汽车电子系统中，该红外发射二极管也可用于自动泊车辅助、车内人员检测等功能模块。其高可靠性与紧凑的 SMD 封装也使其适用于可穿戴设备、智能家电等新兴电子产品的红外感应模块。
IR333C, SFH 487-2, TSAL6200
