IR3Y68M 时间：2025/8/28 1:25:40 阅读：35

IR3Y68M 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件属于 CoolMOS? 系列，采用先进的超结（SJ，Super Junction）技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器以及工业自动化系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大连续漏极电流(Id)：17A
　　导通电阻(Rds(on))：0.24Ω
　　栅极电荷(Qg)：36nC
　　最大功耗(Pd)：84W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IR3Y68M 的核心特性之一是其基于 CoolMOS 技术的超结结构，使得该器件在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。这种设计优化了器件在高频开关应用中的能效表现，从而有助于实现更高功率密度的电源系统设计。
　　此外，IR3Y68M 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较高温度环境下稳定工作，适用于要求长时间连续运行的工业和通信电源系统。其较低的栅极电荷（Qg）也有助于减少驱动损耗，提高开关速度并降低驱动电路的复杂度。
　　该器件还内置了快速恢复二极管特性，能够有效应对反向电流和电压瞬变，增强了其在感性负载开关应用中的稳定性与安全性。此外，TO-220 封装具备良好的散热性能，适合在需要良好热管理的场合使用。

应用

IR3Y68M 主要应用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信电源、光伏逆变器、工业电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及高频 DC-DC 转换器等。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其在需要高效能和紧凑设计的电力电子设备中具有显著优势。
　　在消费类电子产品中，IR3Y68M 也可用于大功率适配器和电源管理模块。在新能源领域，如电动汽车充电设备和储能系统中，该器件也因其高可靠性和高效能而被广泛采用。此外，它在 UPS（不间断电源）系统中可用于提高能量转换效率并降低发热。
　　由于其良好的抗热性能和电气稳定性，IR3Y68M 也适用于需要长期运行和高可靠性的工业控制系统，如自动化生产线和工业机器人中的电源模块。