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IR3Y29 发布时间 时间:2025/8/27 18:19:08 查看 阅读:6

IR3Y29是一款由英飞凌(Infineon)推出的功率MOSFET驱动器集成电路,广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等高功率电子系统中。该芯片专为高效能、高可靠性的应用设计,能够驱动多个MOSFET或IGBT器件,适用于半桥或全桥拓扑结构。

参数

封装类型:SOIC-16
  工作电压范围:10V至20V
  输出驱动电流:高端驱动器和低端驱动器均为200mA/350mA(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  最大开关频率:1MHz
  内置死区时间控制
  欠压锁定(UVLO)保护功能
  高端浮动电源电压最大值:600V
  传输延迟时间:典型值为60ns
  输出电压摆幅:从0V至VDD

特性

IR3Y29具有高性能的半桥驱动能力,能够有效控制两个MOSFET或IGBT器件的开关过程,避免直通电流的发生。其高端浮动电源设计使其适用于高侧开关应用,支持高达600V的电源电压。芯片内部集成欠压锁定(UVLO)功能,确保在电源电压不足时关闭输出,防止MOSFET误操作。此外,IR3Y29具备较宽的工作电压范围(10V至20V),使其适用于多种电源管理方案。该器件的封装形式为SOIC-16,具备良好的散热性能和工业级工作温度范围(-40°C至+125°C),适合在恶劣环境下稳定工作。传输延迟时间短,支持高频开关操作,提高系统效率。此外,该驱动器还提供死区时间控制功能,可调节上下桥臂的开关间隔,优化系统性能并减少损耗。

应用

IR3Y29常用于电源转换系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及电动汽车充电模块等应用场景。

替代型号

IR2110, IR21844, LM5101, TC4420

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