IR3Y26A6 时间：2025/8/27 23:10:29 阅读：3

IR3Y26A6是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率和高功率密度的应用设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优化的开关性能，适用于工业电源、DC-DC转换器、电动工具、电池管理系统以及汽车电子等多个领域。IR3Y26A6采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的能效和更小的封装尺寸，使其在高电流负载下依然能保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.8mΩ（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1

特性

IR3Y26A6具备多项先进的性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。该器件在VGS为10V时，RDS(on)典型值为2.8mΩ，确保在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，IR3Y26A6采用高性能的沟槽式MOSFET结构，优化了开关速度和开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器等。其快速开关能力有助于减小外围元件的尺寸并提高系统功率密度。
　　此外，该MOSFET具有高耐用性和良好的热稳定性，能够在高负载和高温环境下稳定工作。其封装设计有助于快速散热，确保在高电流工作条件下仍能维持较低的温度上升。
　　IR3Y26A6还具备较强的抗过载和短路能力，增强了在恶劣工作环境下的可靠性。这使得它在电池供电系统、电动车控制器和工业电机驱动中具有广泛的应用潜力。
　　最后，该器件符合RoHS环保标准，适合用于需要符合国际环保法规的设计中。

应用

IR3Y26A6广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。其主要应用领域包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电动工具驱动电路、工业电机控制、电池管理系统（BMS）以及车载电子设备等。
　　在电源管理系统中，IR3Y26A6可以作为主开关器件，用于高效的电压调节和能量转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效率转换器中表现出色。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET适用于高频率开关操作，能够有效减少能量损耗并提高功率密度。同时，其良好的热管理性能确保在高负载下仍能保持稳定运行。
　　在电动工具和电池管理系统中，IR3Y26A6的高电流承载能力和抗短路能力使其成为理想的功率开关元件，有助于延长电池寿命并提升系统安全性。
　　此外，该器件也适用于汽车电子中的电机驱动、车载充电器和逆变器等应用，满足汽车电子系统对高可靠性和高性能的严格要求。