IR3Y26是一种由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的功率MOSFET晶体管,属于其广泛使用的IR系列功率场效应晶体管。该器件专为高效率功率转换应用而设计,适用于开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等领域。IR3Y26具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能,能够在高频率下工作,从而减少功率损耗并提高系统效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值为2.7mΩ(在VGS=10V时)
封装形式:TO-263(D2PAK)
工作温度范围:-55°C至+175°C
功率耗散(PD):170W
IR3Y26是一款高性能功率MOSFET,具备多项优异特性。其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统效率。该器件的高耐压能力(60V)使其适用于多种中高功率应用。由于采用了先进的封装技术,IR3Y26具有良好的热管理和散热性能,能够承受较高的功率耗散(170W)。此外,其封装形式为TO-263(D2PAK),便于在PCB上安装,并支持表面贴装工艺,提高生产效率。
IR3Y26还具备良好的开关特性,能够在高频率下稳定工作,减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。栅极驱动电压范围宽(±20V),增强了器件的可靠性和灵活性。工作温度范围广(-55°C至+175°C),使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。
IR3Y26广泛应用于多种电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器和电池管理系统。在电源管理应用中,IR3Y26用于高效能功率转换,以提高能源利用率并减少热量产生。在电动汽车和工业自动化领域,该MOSFET可用于高电流负载的控制和保护。此外,由于其良好的热性能和高可靠性,IR3Y26也适用于需要长时间稳定运行的工业设备和嵌入式系统。
IRF3205, IRF1405, IRL3713, SiR142DP