IR3Y26 时间：2025/8/28 4:08:34 阅读：25

IR3Y26是一种由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET晶体管，属于其广泛使用的IR系列功率场效应晶体管。该器件专为高效率功率转换应用而设计，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等领域。IR3Y26具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，能够在高频率下工作，从而减少功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.7mΩ（在VGS=10V时）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功率耗散（PD）：170W

特性

IR3Y26是一款高性能功率MOSFET，具备多项优异特性。其低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高功率应用。由于采用了先进的封装技术，IR3Y26具有良好的热管理和散热性能，能够承受较高的功率耗散（170W）。此外，其封装形式为TO-263（D2PAK），便于在PCB上安装，并支持表面贴装工艺，提高生产效率。
　　IR3Y26还具备良好的开关特性，能够在高频率下稳定工作，减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。栅极驱动电压范围宽（±20V），增强了器件的可靠性和灵活性。工作温度范围广（-55°C至+175°C），使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。

应用

IR3Y26广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器和电池管理系统。在电源管理应用中，IR3Y26用于高效能功率转换，以提高能源利用率并减少热量产生。在电动汽车和工业自动化领域，该MOSFET可用于高电流负载的控制和保护。此外，由于其良好的热性能和高可靠性，IR3Y26也适用于需要长时间稳定运行的工业设备和嵌入式系统。