IR3S87N4 时间：2025/8/28 2:21:32 阅读：13

IR3S87N4是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制等。该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和优异的热性能，能够提供出色的能效和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.8mΩ（最大值，典型值可能更低）
　　封装类型：PG-HSOF-8
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　功率耗散（PD）：100W
　　漏极电容（Coss）：约1600pF

特性

IR3S87N4采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。其封装设计优化了热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。此外，该MOSFET具有优异的开关性能，能够支持高频操作，减少开关损耗。栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V和12V驱动电路，便于设计人员灵活使用。该器件还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的稳定性和可靠性。

应用

IR3S87N4广泛应用于各类电源管理系统，如高效能开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、服务器电源和工业自动化控制系统。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统中的高功率控制电路，如电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）。由于其优异的导通和开关性能，该器件在要求高效率和小尺寸设计的场合中表现尤为出色。