IR3S87N4/E2/ 是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高集成度、高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和出色的热稳定性,适用于各种中高功率应用。IR3S87N4/E2/通常采用标准的表面贴装封装形式,便于在PCB上安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
最大连续漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):约2.9mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):120W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PG-HSOF-8-1(表面贴装)
IR3S87N4/E2/ 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有多项关键特性,适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
首先,该器件的导通电阻(RDS(on))非常低,典型值约为2.9mΩ,在VGS=10V的情况下能够显著降低导通损耗,从而提高整体系统的效率。这对于高电流应用尤为重要,例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
其次,IR3S87N4/E2/ 的最大漏源电压(VDS)为30V,最大连续漏极电流(ID)可达80A,具备较强的电流承载能力,适合用于高功率输出场合。此外,其功率耗散能力为120W,能够在较高负载下稳定工作,同时结合良好的散热设计,可确保器件在高温环境下依然保持优异性能。
该器件采用PG-HSOF-8-1封装,属于表面贴装型封装,具有良好的热管理性能,便于自动化生产与焊接,同时有助于在PCB上实现紧凑布局。其封装设计优化了引线电感,降低了开关损耗,提高了高频工作的稳定性。
此外,IR3S87N4/E2/ 具有宽泛的工作温度范围(-55°C 至 175°C),可在极端温度环境下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。
综合来看,IR3S87N4/E2/ 凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和可靠性,成为许多高性能电源系统设计中的优选MOSFET器件。
IR3S87N4/E2/ 广泛应用于多个高功率和高效能的电子系统中。其主要应用包括:DC-DC转换器,如降压(Buck)、升压(Boost)和反相(Buck-Boost)拓扑结构中的高侧或低侧开关,用于提高转换效率并降低损耗;同步整流器,用于AC-DC电源或DC-DC模块中替代传统二极管以提升效率;负载开关,用于控制电源分配和负载管理,例如在服务器、存储设备和工业自动化系统中实现电源的快速通断;电机驱动电路,用于控制直流电机或步进电机的启停与转向,适用于工业自动化和机器人控制系统;电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制与保护电路中,以确保电池组的安全运行;此外,该器件也可用于电源管理模块、UPS系统、LED驱动器以及各种高电流便携式设备的电源设计。
SiR872DP-T1-GE3, IPB085N03LC G, IRF6785TRPBF, BSC080N03MS G, FDS8785A