IR3S87N4/E2/ 时间：2025/8/28 21:34:46 阅读：23

IR3S87N4/E2/ 是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高集成度、高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和出色的热稳定性，适用于各种中高功率应用。IR3S87N4/E2/通常采用标准的表面贴装封装形式，便于在PCB上安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.9mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1（表面贴装）

特性

IR3S87N4/E2/ 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有多项关键特性，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
　　首先，该器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值约为2.9mΩ，在VGS=10V的情况下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统的效率。这对于高电流应用尤为重要，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
　　其次，IR3S87N4/E2/ 的最大漏源电压（VDS）为30V，最大连续漏极电流（ID）可达80A，具备较强的电流承载能力，适合用于高功率输出场合。此外，其功率耗散能力为120W，能够在较高负载下稳定工作，同时结合良好的散热设计，可确保器件在高温环境下依然保持优异性能。
　　该器件采用PG-HSOF-8-1封装，属于表面贴装型封装，具有良好的热管理性能，便于自动化生产与焊接，同时有助于在PCB上实现紧凑布局。其封装设计优化了引线电感，降低了开关损耗，提高了高频工作的稳定性。
　　此外，IR3S87N4/E2/ 具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对可靠性要求较高的应用场合。
　　综合来看，IR3S87N4/E2/ 凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和可靠性，成为许多高性能电源系统设计中的优选MOSFET器件。

应用

IR3S87N4/E2/ 广泛应用于多个高功率和高效能的电子系统中。其主要应用包括：DC-DC转换器，如降压（Buck）、升压（Boost）和反相（Buck-Boost）拓扑结构中的高侧或低侧开关，用于提高转换效率并降低损耗；同步整流器，用于AC-DC电源或DC-DC模块中替代传统二极管以提升效率；负载开关，用于控制电源分配和负载管理，例如在服务器、存储设备和工业自动化系统中实现电源的快速通断；电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机的启停与转向，适用于工业自动化和机器人控制系统；电池管理系统（BMS），用于电池充放电控制与保护电路中，以确保电池组的安全运行；此外，该器件也可用于电源管理模块、UPS系统、LED驱动器以及各种高电流便携式设备的电源设计。