IR3S52N2T2是一款由Infineon Technologies生产的双N沟道增强型功率MOSFET芯片,采用先进的沟槽技术制造,具有高性能和高可靠性。该芯片广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器等高频率和高效率要求的电子系统中。IR3S52N2T2采用了紧凑的封装设计,便于在电路板上的集成和安装。
类型:双N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):3.5A
导通电阻(RDS(on)):180mΩ(最大值)
功率耗散(PD):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TSOP
IR3S52N2T2具有低导通电阻和快速开关特性,使其在高频操作中表现出色。其双N沟道结构提供了良好的热稳定性和电流处理能力,适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。此外,该芯片具有良好的抗静电能力和可靠性,能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。由于其低输入电容和传输延迟,IR3S52N2T2在数字和模拟混合信号应用中也表现优异。
该芯片还具有较低的栅极电荷和快速恢复二极管特性,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。其紧凑的封装设计不仅节省了空间,还提高了散热性能,从而延长了芯片的使用寿命。此外,IR3S52N2T2的生产工艺符合环保标准,支持无铅封装选项,适用于对环境影响有严格要求的设计项目。
IR3S52N2T2主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及各类便携式电子设备中。在汽车电子领域,该芯片常用于车载充电系统、电动工具和LED照明驱动电路中。由于其高可靠性和紧凑的封装设计,IR3S52N2T2也适用于工业自动化控制、消费类电子产品以及通信设备中的电源管理和信号调节电路。
Si3442DV-T1-GE3, NDS355AN, FDS6680, IR3S52N2TR